[發明專利]顯示基板及其制備方法和顯示面板

有效

• 申請號: 202110334781.8
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113078172B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 汪軍;王海濤;王慶賀;蘇同上;方金鋼;成軍;甘由鵬;周超;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/60;H10K59/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

本發明提供一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。該顯示基板包括顯示區和圍設于顯示區外圍的周邊區；顯示基板還包括：基底，設置于基底上的柵線、靜電環和第一晶體管；柵線由顯示區延伸至周邊區，靜電環和第一晶體管位于周邊區；第一晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、第一極和第二極；第一極、第二極和有源層位于柵絕緣層的背離柵極的一側；柵線、柵極和靜電環采用相同材料且同層設置；柵線通過開設在柵絕緣層中的第一過孔連接第一極，靜電環通過開設在柵絕緣層中的第二過孔連接第二極。該顯示基板使柵線上累積的靜電在達到一定量時能及時釋放至靜電環，避免柵線上累積的靜電對顯示區內晶體管的有源層造成擊穿，確保顯示基板的品質和良率。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。

背景技術

在TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)顯示基板制備過程中特別容易形成靜電擊穿現象，特別是在柵線的制備過程中靜電累積現象尤為嚴重，柵線上累積的大量靜電容易對晶體管的有源層造成擊穿，尤其是氧化物半導體材料的有源層(如IGZO有源層)在制備時極易受到柵線累積靜電的擊穿；而目前TFT顯示基板上的靜電環通常與后續制備的晶體管的源漏電極同時形成，使得在前期柵線和有源層制備過程中累積于柵線和有源層上的靜電無法及時得到釋放，從而導致有源層被靜電擊穿失效，大大降低顯示產品良率。

發明內容

本發明針對上述有顯示區內薄膜晶體管有源層容易受到柵線累積靜電擊穿的問題，提供一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。該顯示基板，能使柵線上累積的靜電在達到一定量時能及時釋放至靜電環，從而避免柵線上累積的靜電對顯示區內晶體管的有源層造成擊穿，進而確保顯示基板的品質和良率。

本發明提供一種顯示基板，包括顯示區和圍設于所述顯示區外圍的周邊區；

所述顯示基板還包括：基底，設置于所述基底上的柵線、靜電環和第一晶體管；所述柵線由所述顯示區延伸至所述周邊區，所述靜電環和所述第一晶體管位于所述周邊區；所述第一晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、第一極和第二極；

所述第一極、所述第二極和所述有源層位于所述柵絕緣層的背離所述柵極的一側；

所述柵線、所述柵極和所述靜電環采用相同材料且同層設置；所述柵線通過開設在所述柵絕緣層中的第一過孔連接所述第一極，所述靜電環通過開設在所述柵絕緣層中的第二過孔連接所述第二極。

可選地，所述第一極和所述第二極在所述基底上的正投影分別位于所述有源層的相對兩邊，且所述第一極和所述第二極分別與所述有源層相對接；

所述第一過孔位于所述柵絕緣層的與所述第一極在所述基底上的正投影相交疊的區域中；

所述第二過孔位于所述柵絕緣層的與所述第二極在所述基底上的正投影相交疊的區域中。

可選地，所述有源層采用氧化物半導體材料，所述第一極和所述第二極采用導體化的氧化物半導體材料。

可選地，所述柵極位于所述柵絕緣層靠近所述基底的一側；

或者，所述柵極位于所述柵絕緣層背離所述基底的一側。

可選地，所述柵線包括多條；所述第一晶體管包括多個；

每條所述柵線連接兩個所述第一晶體管；

連接同一條所述柵線的兩個所述第一晶體管分別位于所述柵線兩端。

可選地，還包括多個接地電極，所述多個接地電極均勻分布于所述周邊區；

所述靜電環圍繞于所述顯示區外；

所述靜電環連接所述接地電極。

可選地，所述接地電極與所述柵極采用相同材料且同層設置；