[發明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110333691.7
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113113437B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 宋德偉;艾飛;宋繼越
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本申請實施例公開了一種陣列基板及其制備方法，在陣列基板中，第一導電層設置在薄膜晶體管結構層上，第一導電層包括第一電極；感光二極管設置在第一電極上；第一絕緣層覆蓋所述感光二極管，第一絕緣層上開設有第一開孔，第一開孔裸露出感光二極管；第二導電層包括保護部，保護部設置在第一開孔內且與感光二極管相連；第二絕緣層覆蓋第一絕緣層，第二絕緣層上開設有第二開孔和第三開孔，第二開孔裸露出保護部，第二開孔的深度小于第三開孔的深度；第三導電層設置在第二絕緣層上，第三導電層包括第二電極，第二電極通過第二開孔連接于保護部。本申請在感光二極管上形成一保護部，避免在曝光和蝕刻第三開孔的過程，降低感光二極管的性能。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

光學指紋識別技術利用光的折射和反射原理，當光照射到手指上，被手指反射到感光器件上，由于指紋谷和脊對光的反射不同，感光器件所接受到谷和脊的反射光強不同，然后再將光信號轉換為電學信號，從而進行指紋識別。

在對現有技術的研究和實踐過程中，本申請的發明人發現，目前，在光學指紋識別模塊集成在面板中的制程中，由于感光器件設置在薄膜晶體管結構層之上，因此在絕緣疊層上同時形成不同孔深的開孔時，淺孔對應的器件長時間處于蝕刻中，導致器件的性能變差；比如對應于感光器件的淺孔和對應于感光器件下方的導電膜層的深孔，感光器件長時間處在曝光和蝕刻中，導致感光器件的性能變差。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制備方法，用于在絕緣層上同時形成深孔和淺孔的制程中，達到保護淺孔對應的器件的效果。

本申請實施例提供一種陣列基板，其包括：

基板；

薄膜晶體管結構層，所述薄膜晶體管結構層設置在所述基板上，所述薄膜晶體管結構層包括第一薄膜晶體管；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述薄膜晶體管結構層上，所述第一導電層包括第一電極，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管連接；

感光二極管，所述感光二極管設置在所述第一電極上；

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述感光二極管和所述薄膜晶體管結構層，所述第一絕緣層上開設有第一開孔，所述第一開孔裸露出所述感光二極管；

第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一絕緣層上，所述第二導電層包括保護部，所述保護部設置在所述第一開孔內且與所述感光二極管相連；

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層和所述第二導電層，所述第二絕緣層上開設有第二開孔和第三開孔，所述第二開孔裸露出所述保護部，所述第二開孔的深度小于所述第三開孔的深度；以及

第三導電層，所述第三導電層設置在所述第二絕緣層上，所述第三導電層包括第二電極，所述第二電極通過所述第二開孔連接于所述保護部。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述保護部設置在所述第一開孔內，并自所述第一開孔的周壁向所述第一開孔的外周延伸設定距離，所述設定距離小于或等于0.5微米。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述薄膜晶體管結構層包括第二薄膜晶體管，所述第三導電層包括像素電極，所述像素電極通過所述第三開孔連接于所述第二薄膜晶體管的源極或漏極。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一導電層還包括觸控走線和信號走線，所述第二導電層包括公共電極和電容器的部分；所述觸控走線連接于所述公共電極，所述第一電極連接于所述電容器；

所述第二電極連接于所述信號走線；所述像素電極連接于裸露的源極或漏極。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述感光二極管與所述第一薄膜晶體管重疊設置。