[發明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110333691.7
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113113437B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 宋德偉;艾飛;宋繼越
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶體管結構層，所述薄膜晶體管結構層設置在所述基板上，所述薄膜晶體管結構層包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述薄膜晶體管結構層上，所述第一導電層包括第一電極、觸控走線和信號走線，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管連接；

感光二極管，所述感光二極管設置在所述第一電極上；

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述感光二極管和所述薄膜晶體管結構層，所述第一絕緣層上開設有第一開孔，所述第一開孔裸露出所述感光二極管；

第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一絕緣層上，所述第二導電層包括保護部、公共電極和電容器的部分，所述保護部設置在所述第一開孔內且與所述感光二極管相連；所述觸控走線連接于所述公共電極，所述第一電極連接于所述電容器；

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層和所述第二導電層，所述第二絕緣層上開設有第二開孔和第三開孔，所述第二開孔裸露出所述保護部，所述第二開孔的深度小于所述第三開孔的深度；以及

第三導電層，所述第三導電層設置在所述第二絕緣層上，所述第三導電層包括第二電極和像素電極，所述第二電極通過所述第二開孔連接于所述保護部，所述第二電極連接于所述信號走線，所述像素電極通過所述第三開孔連接于所述第二薄膜晶體管的源極或漏極。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護部設置在所述第一開孔內，并自所述第一開孔的周壁向所述第一開孔的外周延伸設定距離，所述設定距離小于或等于0.5微米。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述感光二極管與所述第一薄膜晶體管重疊設置。

4.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成薄膜晶體管結構層，所述薄膜晶體管結構層包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管結構層上形成第一導電層，所述第一導電層包括第一電極、觸控走線和信號走線，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管連接；

在所述第一電極上形成感光二極管；

在所述感光二極管上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層還覆蓋所述薄膜晶體管結構層，所述第一絕緣層上開設有第一開孔，所述第一開孔裸露出所述感光二極管；

在所述第一絕緣層上形成第二導電層，所述第二導電層包括保護部、公共電極和電容器的部分，所述保護部設置在所述第一開孔內且與所述感光二極管相連；所述觸控走線連接于所述公共電極，所述第一電極連接于所述電容器；

在所述第二導電層上沉積絕緣材料形成絕緣材料層；

對所述絕緣材料層對應于所述保護部和所述第二薄膜晶體管的源極或漏極的部分進行曝光和蝕刻處理，形成開設有第二開孔和第三開孔的第二絕緣層，所述第二開孔裸露所述保護部，所述第三開孔裸露所述第二薄膜晶體管的源極或漏極；所述第二開孔的深度小于所述第三開孔的深度；

在所述第二絕緣層上形成第三導電層，所述第三導電層包括第二電極和像素電極，所述第二電極通過所述第二開孔連接于所述保護部，所述第二電極連接于所述信號走線，所述像素電極通過所述第三開孔連接于所述第二薄膜晶體管的源極或漏極。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述保護部設置在所述第一開孔內，并自所述第一開孔的周壁向所述第一開孔的外周延伸設定距離，所述設定距離小于或等于0.5微米。

6.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述感光二極管與所述第一薄膜晶體管重疊設置。