[發(fā)明專利]一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110333475.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN113061977A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫健;李偉凡;王遵義;劉琨;孫晨光;王彥君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司;天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B15/32;C30B29/06
• 代理公司: 天津?yàn)I?？凭曋R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 薛萌萌

本發(fā)明提供了一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)，包括上端與單晶硅連接的內(nèi)軸組件、夾持單晶硅下端的夾持組件，所述內(nèi)軸組件外側(cè)設(shè)置夾持器大盤，所述夾持器大盤下側(cè)固接下軸，所述夾持器大盤中部設(shè)置內(nèi)軸組件穿過的過孔，所述下軸中部設(shè)置內(nèi)軸組件穿過的通孔，所述夾持器大盤上表面固設(shè)夾持組件。本發(fā)明所述的內(nèi)軸組件和下軸配合封閉夾持器大盤依次向下移動(dòng)，減少單晶炸裂流熔時(shí)損傷內(nèi)軸組件結(jié)構(gòu)，同時(shí)通過夾持器大盤封閉蓋住下軸上端更好的保護(hù)下軸內(nèi)壁。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于單晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其是涉及一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

生產(chǎn)單晶硅的質(zhì)量要求比較高，但是常規(guī)內(nèi)軸結(jié)構(gòu)中夾持器大盤為非封閉結(jié)構(gòu)，使內(nèi)軸組件暴露在外面，如果下軸內(nèi)壁燙傷，會(huì)造成內(nèi)軸移動(dòng)時(shí)出現(xiàn)抖動(dòng)，嚴(yán)重會(huì)影響到引頸和擴(kuò)肩的過程，造成拉肩失敗，也會(huì)造成生產(chǎn)損失，所示設(shè)置一種夾持器大盤封閉并配合封閉的夾持器大盤的內(nèi)軸和下軸就尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明旨在提出一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)，以內(nèi)軸組件和下軸配合封閉夾持器大盤依次向下移動(dòng)，減少單晶炸裂流熔時(shí)損傷內(nèi)軸組件結(jié)構(gòu)，同時(shí)通過夾持器大盤封閉蓋住下軸上端更好的保護(hù)下軸內(nèi)壁。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)，包括上端與單晶硅連接的內(nèi)軸組件、夾持單晶硅下端的夾持組件，所述內(nèi)軸組件外側(cè)設(shè)置夾持器大盤，所述夾持器大盤下側(cè)固接下軸，所述夾持器大盤中部設(shè)置內(nèi)軸組件穿過的過孔，所述下軸中部設(shè)置內(nèi)軸組件穿過的通孔，所述夾持器大盤上表面固設(shè)夾持組件。

進(jìn)一步的，所述內(nèi)軸組件包括軸尖和設(shè)置于軸尖下側(cè)的內(nèi)軸，所述軸尖和內(nèi)軸之間設(shè)置軸尖導(dǎo)向環(huán)，所述軸尖導(dǎo)向環(huán)直徑大于軸尖直徑；

所述下軸為圓筒型，所述軸尖導(dǎo)向環(huán)設(shè)置于下軸內(nèi)側(cè)，所述軸尖導(dǎo)向環(huán)外徑與下軸內(nèi)徑對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，所述軸尖上端固接有同軸的延長(zhǎng)桿，所述延長(zhǎng)桿上端設(shè)置籽晶夾頭，所述籽晶夾頭通過籽晶夾頭固定座安裝在延長(zhǎng)桿上。

進(jìn)一步的，所述籽晶夾頭上端、籽晶夾頭固定座下端、夾持器大盤上端均設(shè)置防燙鉬片。

進(jìn)一步的，所述夾持組件包括多個(gè)立柱，多個(gè)立柱周向等距設(shè)置于夾持器大盤上端面，多個(gè)立柱通過緊固環(huán)固接，所述緊固環(huán)上端面對(duì)應(yīng)立柱外側(cè)固接撥片柱所述撥片柱上端設(shè)置轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸處鉸接朝向內(nèi)軸組件的銷子撥片，所述銷子撥片在臨近內(nèi)軸組件的上端面垂直設(shè)置銷子桿，所述立柱上端對(duì)應(yīng)銷子桿設(shè)置斜孔，所述銷子桿上端垂直固接夾持片；

所述銷子撥片向遠(yuǎn)離內(nèi)軸組件一側(cè)延伸有硬質(zhì)桿，所述硬質(zhì)桿在遠(yuǎn)離銷子撥片的一端固接軟鋼絲。

進(jìn)一步的，所述夾持片靠近內(nèi)軸組件處有內(nèi)凹圓弧，所述內(nèi)凹圓弧與單晶硅下端擴(kuò)肩側(cè)壁貼合夾持。

進(jìn)一步的，所述夾持片材質(zhì)為防燙鉬片。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內(nèi)軸及夾持結(jié)構(gòu)具有以下有益效果：

(1)本發(fā)明所述的以內(nèi)軸組件先轉(zhuǎn)動(dòng)向下移動(dòng)，到夾持組件可以夾持到單晶硅的下端的合適位置，下軸開始轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)整個(gè)結(jié)構(gòu)向下移動(dòng)，這樣可以使內(nèi)軸組件一部分運(yùn)動(dòng)到下軸內(nèi)，減少單晶炸裂流熔時(shí)損傷結(jié)構(gòu)，同時(shí)通過夾持器大盤蓋住上端更好的保護(hù)下軸內(nèi)壁。

(2)本發(fā)明所述的所述延長(zhǎng)桿起到軸尖加長(zhǎng)的作用，可根據(jù)需要更換長(zhǎng)度，并且在軸尖向下移動(dòng)到下軸內(nèi)，上側(cè)的延長(zhǎng)桿被單晶炸裂流熔物損傷時(shí)，更換更加便捷，無需更換整個(gè)軸尖。

(3)本發(fā)明所述的防燙鉬片自上向下設(shè)置有三層，減少高熱量造成的部件燙傷，也限制單晶炸裂流熔時(shí)流入下軸內(nèi)，減少下軸內(nèi)壁的損傷。

附圖說明