[發(fā)明專利]一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110333475.2 | 申請日: | 2021-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN113061977A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫健;李偉凡;王遵義;劉琨;孫晨光;王彥君 | 申請(專利權)人: | 中環(huán)領先半導體材料有限公司;天津中環(huán)領先材料技術有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B15/32;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人: | 薛萌萌 |
| 地址: | 214200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 區(qū)熔單晶爐內軸 夾持 結構 | ||
1.一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:包括上端與單晶硅連接的內軸組件(1)、夾持單晶硅下端的夾持組件(4),所述內軸組件(1)外側設置夾持器大盤(2),所述夾持器大盤(2)下側固接下軸(3),所述夾持器大盤(2)中部設置內軸組件穿過的過孔,所述下軸(3)中部設置內軸組件穿過的通孔,所述夾持器大盤(2)上表面固設夾持組件(4)。
2.根據權利要求1所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述內軸組件(1)包括軸尖(11)和設置于軸尖下側的內軸(12),所述軸尖(11)和內軸(12)之間設置軸尖導向環(huán)(13),所述軸尖導向環(huán)(13)直徑大于軸尖(11)直徑;
所述下軸(3)為圓筒型,所述軸尖導向環(huán)(13)設置于下軸(3)通孔內,所述軸尖導向環(huán)(13)外徑與下軸(3)通孔內徑對應。
3.根據權利要求2所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述軸尖(11)上端固接有同軸的延長桿(14),所述延長桿(14)上端設置籽晶夾頭(15),所述籽晶夾頭(15)通過籽晶夾頭固定座(16)安裝在延長桿(14)上。
4.根據權利要求3所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述籽晶夾頭(15)上端、籽晶夾頭固定座(16)下端、夾持器大盤(2)上端均設置防燙鉬片。
5.根據權利要求1所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述夾持組件(4)包括多個立柱(41),多個立柱周向等距設置于夾持器大盤(2)上端面,多個立柱(41)通過緊固環(huán)(42)固接,所述緊固環(huán)(42)上端面對應立柱(41)外側固接撥片柱(43)所述撥片柱(43)上端設置轉軸,所述轉軸處鉸接朝向內軸組件(1)的銷子撥片(44),所述銷子撥片(44)在臨近內軸組件(1)的上端面垂直設置銷子桿(45),所述立柱(41)上端對應銷子桿(45)設置斜孔,所述銷子桿(45)上端垂直固接夾持片(46);
所述銷子撥片(44)向遠離內軸組件一側延伸有硬質桿(47),所述硬質桿(47)在遠離銷子撥片(44)的一端固接軟鋼絲(48)。
6.根據權利要求5所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述夾持片(46)靠近內軸組件處有內凹圓弧(461),所述內凹圓弧(461)與單晶硅下端擴肩側壁貼合夾持。
7.根據權利要求5所述的一種新型區(qū)熔單晶爐內軸及夾持結構,其特征在于:所述夾持片(46)材質為防燙鉬片。
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