[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202110330029.6
• 申請日: 2021-03-27
• 公開（公告）號: CN113097138B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 任宇軒;俞曉宇;吳永堅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/423
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括間隔設置的高壓阱區及低壓阱區；

在所述高壓阱區和所述低壓阱區分別形成第一柵極和第二柵極；以及

形成覆蓋所述第一柵極側壁的第一側墻，形成覆蓋所述第二柵極側壁的第二側墻，其中，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度；

所述第一側墻包括第一介質層及層疊設置于所述第一介質層上的第二介質層，所述第二側墻包括所述第一介質層，所述形成覆蓋所述第一柵極側壁的第一側墻，形成覆蓋所述第二柵極側壁的第二側墻，包括：

形成覆蓋所述第一柵極、所述高壓阱區、所述第二柵極和所述低壓阱區的第一介質層；

形成覆蓋所述第一介質層的第二介質層；

形成覆蓋所述第二介質層對應所述第一柵極及所述高壓阱區的部分的保護層；

刻蝕去除所述第二介質層對應所述第二柵極及所述低壓阱區的部分，使所述第一介質層的覆蓋于所述第二柵極及所述低壓阱區的部分外露；

刻蝕去除所述保護層，使所述第二介質層的覆蓋于所述第一柵極及所述高壓阱區的部分外露；

刻蝕外露的所述第二介質層，保留所述第二介質層的覆蓋于所述第一柵極側壁的部分，使所述第一介質層的覆蓋于所述第一柵極頂部以及所述高壓阱區的部分外露；以及

刻蝕外露的所述第一介質層，保留所述第一介質層的覆蓋于所述第二柵極側壁的部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述第一介質層包括層疊設置的第一氧化物層及氮化物層，所述形成覆蓋所述第一柵極、所述高壓阱區、所述第二柵極和所述低壓阱區的第一介質層，包括：

形成覆蓋所述第一柵極、所述高壓阱區、所述第二柵極和所述低壓阱區的第一氧化物層；以及

形成覆蓋所述第一氧化物層的氮化物層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕外露的所述第一介質層，保留所述第一介質層的覆蓋于所述第二柵極側壁的部分，包括：

刻蝕外露的所述氮化物層，保留所述氮化物層的覆蓋于所述第二柵極側壁的部分，使所述第一氧化物層的覆蓋于所述第一柵極頂部、所述高壓阱區、所述第二柵極頂部及所述低壓阱區的部分外露；以及

刻蝕去除外露的所述第一氧化物層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介質層為第二氧化物層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護層為光刻膠層。

6.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件通過如權利要求1-5任一項所述的半導體器件制造方法制得，所述半導體器件包括：

襯底，所述襯底包括間隔設置的高壓阱區和低壓阱區；

第一柵極，設置于所述高壓阱區；

第一側墻，圍設于所述第一柵極的側壁；

第二柵極，設置于所述低壓阱區；

第二側墻，圍設于所述第二柵極的側壁；

其中，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻包括第一介質層及第二介質層，所述第一介質層、所述第二介質層依次層疊設置于所述第一柵極側壁，所述第一介質層位于所述第二介質層和所述第一柵極側壁之間。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層包括依次層疊設置于所述第一柵極側壁的第一氧化物層及第一氮化物層，所述第一氮化物層位于所述第一氧化物層與所述第二介質層之間。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第二介質層為第二氧化物層。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻包括第三氧化物層及第二氮化物層，所述第三氧化物層、所述第二氮化物層依次層疊設置于所述第二柵極側壁，所述第三氧化物層位于所述第二氮化物層和所述第二柵極側壁之間。