[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202110330029.6
• 申請日: 2021-03-27
• 公開（公告）號: CN113097138B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 任宇軒;俞曉宇;吳永堅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/423
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括提供襯底，所述襯底包括間隔設置的高壓阱區及低壓阱區；在所述高壓阱區和所述低壓阱區分別形成第一柵極和第二柵極；以及形成覆蓋所述第一柵極側壁的第一側墻，形成覆蓋所述第二柵極側壁的第二側墻，其中，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度。本申請還提供一種半導體器件。本申請提供的所述半導體器件及其制造方法，在高壓阱區和低壓阱區設置不同厚度的側墻，其中，所述高壓阱區的側墻的厚度大于所述低壓阱區的側墻的厚度，而改善高壓器件的熱載流子注入效應以及提高低壓器件的響應速度。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

在目前半導體器件制作工藝中，半導體器件中的高壓器件的側墻厚度(HVdevice)與低壓器件(LV?device)的側墻厚度相同。

由于市場需求，半導體器件的尺寸不斷減小，當半導體器件的尺寸減小時，側墻的厚度也隨之等比例縮小。對于高壓器件，側墻厚度減小會顯著增強高壓器件的熱載流子注入效應(HCI)。

為了改善高壓器件的熱載流子注入效應，目前采取的工藝是提高半導體器件的側墻厚度，雖然提高側墻厚度能夠減弱高壓器件的熱載流子注入效應，但同時會使得低壓器件的飽和漏極電流減小，從而使得低壓器件的響應速度變慢。

發明內容

為解決上述技術問題，本申請提供一種半導體器件及其制造方法，在高壓阱區和低壓阱區設置不同厚度的側墻，而改善高壓器件的熱載流子注入效應以及提高低壓器件的響應速度。

本申請一方面提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括以下步驟：提供襯底，所述襯底包括間隔設置的高壓阱區及低壓阱區；在所述高壓阱區和所述低壓阱區分別形成第一柵極和第二柵極；以及形成覆蓋所述第一柵極側壁的第一側墻，形成覆蓋所述第二柵極側壁的第二側墻，其中，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度。

本申請另一方面還提供一種半導體器件，所述半導體器件包括襯底，所述襯底包括間隔設置的高壓阱區和低壓阱區；第一柵極，設置于所述高壓阱區；第一側墻，圍設于所述第一柵極的側壁；第二柵極，設置于所述低壓阱區；第二側墻，圍設于所述第二柵極的側壁；其中，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度。

本申請提供的半導體器件及其制造方法在高壓阱區設置第一側墻，在低壓阱區設置第二側墻，所述第一側墻的厚度大于所述第二側墻的厚度，而改善高壓器件的熱載流子注入效應以及提高低壓器件的響應速度，同時可縮減半導體器件的尺寸，節省芯片面積，利于制造出更高密度的芯片。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的半導體器件的制造方法的流程圖。

圖2為本申請實施例提供的形成兩個第一輕摻雜區和兩個第二輕摻雜區之后的半導體器件的截面示意圖。

圖3為本申請實施例提供圖1中步驟S103的子流程圖。

圖4至圖10為對應于圖3中方法的半導體器件的截面示意圖。

圖11為本申請實施例提供的形成第一源極、第一漏極及第二源極、第二漏極之后的半導體器件的截面示意圖。

圖12為本申請實施例提供的半導體器件的截面示意圖。

具體實施方式