[發明專利]一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設備及方法

在審

• 申請號: 202110326801.7
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN112877666A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 張少波;劉江;方銘國
• 申請（專利權）人: 深圳泰研半導體裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56
• 代理公司: 贛州捷信協利專利代理事務所(普通合伙) 36141
• 代理人: 吳余琴

本發明公開了一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設備及方法，真空前處理室與中真空抽氣機組連接，真空鍍膜室與中真空抽氣機組、高真空抽氣機組連接；中真空抽氣機組包括通過抽氣管和氣動閥與真空前處理室腔體連通的真空干式泵組，該真空前處理室內設置遠紅外加熱管、射頻轟擊板；真空鍍膜室設置偏向磁控圓柱旋轉靶、高真空抽氣機組；深冷機組設置有連通真空前處理室腔體外壁、真空鍍膜室腔體外壁的冰水管和引入真空鍍膜室的冰水管。本發明立式設置，占地空間小，降低了設備成本及功率消耗，提高了產品品質及生產效率，避免了持續鍍膜造成急速溫升不降，旋轉鍍膜使得鍍膜更加均勻。

技術領域

本發明屬于芯片封裝領域，尤其涉及一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設備及方法。

背景技術

SIP(System-in-package系統級封裝)是將多種功能的芯片或者無源器件在三維空間內組裝到一起，如處理器、存儲器、傳感器等功能芯片混合搭載于同一封裝體之內，實現一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統或者子系統的封裝技術。但因封裝體內有諸多PA，WiFi/BT、Memory等，為了防止封裝模組受到外部干擾或者模組內芯片之間的相互干擾，電磁屏蔽設計是必要的。

傳統的磁控濺射EMI屏蔽是采用臥式連續濺鍍機來實現，但因SiP芯片的EMI鍍膜要求膜厚較厚，側邊鍍膜覆蓋率要求高且有制程溫度限制。若采用傳統臥式連續濺鍍機會有設備占地空間大，功耗高且設備造價高等缺點；同時也無法有效克服側邊鍍膜覆蓋率問題，因而造成鍍膜效率降低及溫升。

發明內容

針對傳統臥式連續濺鍍機占地空間大，功耗高，設備造價高，無法有效克服側邊鍍膜覆蓋率問題而造成鍍膜效率降低及溫升的問題，本發明提供了一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設備及方法。

本發明是這樣實現的，一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設備包括上下料區、真空前處理室、中真空抽氣機組、高真空抽氣機組、偏向磁控圓柱旋轉靶、真空鍍膜室、工件架、遠紅外加熱管、射頻轟擊板、深冷機組、電控箱；

所述真空前處理室與中真空抽氣機組連接，所述真空鍍膜室與中真空抽氣機組、高真空抽氣機組連接；

所述中真空抽氣機組包括通過抽氣管和氣動閥與真空前處理室腔體連通的真空干式泵組，該真空前處理室內設置遠紅外加熱管、射頻轟擊板；

所述真空鍍膜室設置偏向磁控圓柱旋轉靶、高真空抽氣機組；

所述深冷機組設置有連通真空前處理室腔體外壁、真空鍍膜室腔體外壁的冰水管和引入真空鍍膜室的冰水管。

進一步，真空鍍膜室設置有4至8套偏向磁控圓柱旋轉靶，其中1套為不銹鋼圓柱旋轉靶，其他為銅圓柱旋轉靶。

本發明的另一目的在于提供一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜方法，包括以下步驟：

步驟一、在上下料區將SiP工件固定在覆上雙面膠的載具內，將載具固定在工件架上送入真空前處理室；

步驟二、工件架進入真空前處理室定位后，中真空抽氣機組對真空前處理室進行抽真空并開啟遠紅外加熱管將工件加熱至80～100攝氏度，邊加熱邊抽真空將工件產生的逸氣抽離；

步驟三、中真空抽氣機組對真空前處理室持續進行抽真空，將真空度抽到-10～-50Pa時，真空前處理室內的射頻轟擊板對工件進行離子轟擊處理，以清潔并活化工件表面；

步驟四、完成工件離子轟擊后，真空前處理室的傳輸組件將工件架傳輸到真空鍍膜室；