[發(fā)明專利]一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設(shè)備及方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110326801.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN112877666A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張少波;劉江;方銘國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳泰研半導(dǎo)體裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56
• 代理公司: 贛州捷信協(xié)利專利代理事務(wù)所(普通合伙) 36141
• 代理人: 吳余琴

1.一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括上下料區(qū)、真空前處理室、中真空抽氣機(jī)組、高真空抽氣機(jī)組、偏向磁控圓柱旋轉(zhuǎn)靶、真空鍍膜室、工件架、遠(yuǎn)紅外加熱管、射頻轟擊板、深冷機(jī)組、電控箱；

所述真空前處理室與中真空抽氣機(jī)組連接，所述真空鍍膜室與中真空抽氣機(jī)組、高真空抽氣機(jī)組連接；

所述中真空抽氣機(jī)組包括通過抽氣管和氣動(dòng)閥與真空前處理室腔體連通的真空干式泵組，該真空前處理室內(nèi)設(shè)置遠(yuǎn)紅外加熱管、射頻轟擊板；

所述真空鍍膜室設(shè)置偏向磁控圓柱旋轉(zhuǎn)靶、高真空抽氣機(jī)組；

所述深冷機(jī)組設(shè)置有連通真空前處理室腔體外壁、真空鍍膜室腔體外壁的冰水管和引入真空鍍膜室的冰水管。

2.如權(quán)利要求1所述SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，真空鍍膜室設(shè)置有4至8套5～15度偏向磁控旋轉(zhuǎn)靶，其中1套為不銹鋼圓柱旋轉(zhuǎn)靶，其他為銅圓柱旋轉(zhuǎn)靶。

3.一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、在上下料區(qū)將SiP工件固定在覆上雙面膠的載具內(nèi)，將載具固定在工件架上送入真空前處理室；

步驟二、工件架進(jìn)入真空前處理室定位后，中真空抽氣機(jī)組對(duì)真空前處理室進(jìn)行抽真空并開啟遠(yuǎn)紅外加熱管將工件加熱至80～100攝氏度，邊加熱邊抽真空將工件產(chǎn)生的逸氣抽離；

步驟三、中真空抽氣機(jī)組對(duì)真空前處理室持續(xù)進(jìn)行抽真空，將真空度抽到-10～-50Pa時(shí)，射頻轟擊板對(duì)工件進(jìn)行離子轟擊處理；

步驟四、完成工件離子轟擊后，將工件架傳輸?shù)秸婵斟兡な遥?/p>

步驟五、工件架傳送到真空鍍膜室定位后，工件架由馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以20～50rpm速度進(jìn)行正向轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)，偏向磁控圓柱旋轉(zhuǎn)靶對(duì)工件進(jìn)行膜層SUS/Cu/SUS鍍膜處理，同時(shí)啟動(dòng)深冷機(jī)組利用非鍍膜間隔空檔期對(duì)工件進(jìn)行冷卻，在鍍膜中途對(duì)工件架進(jìn)行反向轉(zhuǎn)動(dòng)后繼續(xù)鍍膜，直到所有鍍膜達(dá)到設(shè)定膜厚0.1um/4～6um/0.3um的要求，并回傳送至真空前處理室；

步驟六、當(dāng)工件架送至真空前處理室定位后，進(jìn)行破真空作業(yè)，當(dāng)真空前處理室內(nèi)的氣壓與室外的大氣壓平衡后，工件架被傳送到真空前處理室外的上下料區(qū)。