[發明專利]一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組及電子設備

有效

• 申請號: 202110326237.9
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113224517B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 趙偉;侯張聚;唐小蘭;戴令亮;謝昱乾
• 申請（專利權）人: 深圳市信維通信股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/28
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 林棟

1.一種一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，包括介質基板和至少一個的天線單元，所述介質基板包括第一金屬層，所述第一金屬層上設有與所述至少一個的天線單元一一對應的饋電縫隙；所述天線單元包括介質諧振器，所述介質諧振器設置于所述第一金屬層上且覆蓋所述饋電縫隙；所述介質諧振器呈梯形，各天線單元中的介質諧振器依次相連且一體成型設置。

2.根據權利要求1所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述天線單元還包括饋電線，所述饋電線包括第一饋電線；所述第一饋電線設置于所述第一金屬層遠離所述介質諧振器的一面上，所述第一饋電線與所述饋電縫隙耦合。

3.根據權利要求2所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述第一饋電線的一端設有T形的饋電分支，饋電分支在第一金屬層上的投影與所述饋電縫隙相交。

4.根據權利要求2所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述介質基板還包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層遠離所述介質諧振器的一側，所述第三金屬層位于所述第二金屬層遠離第一金屬層的一側；所述饋電線還包括第二饋電線，所述第二饋電線設置于第二金屬層和第三金屬層之間；所述第二饋電線與所述第一饋電線導通。

5.根據權利要求4所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述第二金屬層和第三金屬層之間設有隔離墻，所述隔離墻圍繞所述第二饋電線設置。

6.根據權利要求5所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述隔離墻包括多個金屬化孔，所述多個金屬化孔連通所述第二金屬層和第三金屬層。

7.根據權利要求4所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，還包括射頻芯片，所述射頻芯片設置于所述介質基板遠離所述介質諧振器的一面上；各天線單元的第二饋電線分別與所述射頻芯片導通。

8.根據權利要求1所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述天線單元的數量為四個，四個天線單元線性排列。

9.根據權利要求1-8任一項所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組，其特征在于，所述饋電縫隙為矩形、H形或圓形。

10.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的一體化5G毫米波雙頻介質諧振天線模組。