[發明專利]硅片制絨產線

在審

• 申請號: 202110324971.1
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN112909133A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 馬琦雯;鄧舜
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種硅片制絨產線，包括按先后工序依次設置的：鏈式氧化爐，第一鏈式酸洗機，第一插片機，氧化槽，第一清水槽，制絨槽，第二清水槽，第二插片機，第二鏈式酸洗機，鏈式烘干爐。本發明在制絨槽前道設置鏈式氧化爐，可在制絨之前，在鏈式氧化爐中對硅片進行高溫氧化處理，使硅片表面的有機臟污分解，可完全去除硅片表面的有機臟污，可避免因有機臟污殘留在硅片表面而使制絨出現白斑、亮點等問題。

技術領域

本發明涉及硅片制絨產線。

背景技術

光伏發電是太陽能能源利用中最重要的組成部分，它是一種環保的，用之不竭的可再生能源，符合光伏行業高效率、低成本的追求。對于單晶硅電池，表面反射率是影響太陽能電池效率轉換的重要因素之一，為降低表面反射率，制絨工藝起到了重要作用。

制絨的目的為在原生硅片表面產生織構以達到陷光作用，從而提高對太陽光的吸收率，進而提高電池的光電轉換率。目前市面上的制絨工藝仍為傳統的濕法工藝，此法在制絨結束后，硅片上會大概率出現白斑、亮點等問題，這嚴重影響了產線硅片的直通率，降低了產線效率。

發明內容

為解決現有技術的缺陷，本發明提供一種硅片制絨產線，包括按先后工序依次設置的：鏈式氧化爐，第一鏈式酸洗機，氧化槽，第一清水槽，制絨槽。

優選的，還包括位于制絨槽后道、且按先后工序依次設置的：第二清水槽，第二鏈式酸洗機，鏈式烘干爐。

優選的，所述第一鏈式酸洗機包括按先后工序依次設置的：酸洗區，漂洗區。

優選的，所述第一鏈式酸洗機的酸洗區設有帶液滾輪和噴頭，第一鏈式酸洗機的漂洗區設有滾輪和噴頭。

優選的，所述第一鏈式酸洗機和氧化槽之間還設有第一插片機。

優選的，所述第二鏈式酸洗機包括按先后工序依次設置的：酸洗區，漂洗區。

優選的，所述第二鏈式酸洗機的酸洗區設有帶液滾輪和噴頭，第二鏈式酸洗機的漂洗區設有滾輪和噴頭。

優選的，所述第二清水槽和第二鏈式酸洗機之間還設有第二插片機。

優選的，所述鏈式氧化爐內置剛玉軸和加熱燈管。

經研究發現，之所以硅片制絨會出現白斑、亮點等問題，主要是因為硅片表面殘留有有機臟污。本發明在制絨槽前道設置鏈式氧化爐，可在制絨之前，在鏈式氧化爐中對硅片進行高溫氧化處理，使硅片表面的有機臟污分解，可完全去除硅片表面的有機臟污，可避免因有機臟污殘留在硅片表面而使制絨出現白斑、亮點等問題。

但本發明的發明人經研究發現，為了完全去除硅片表面的有機臟污，鏈式氧化爐的溫度較高（300～800℃），處理時間較長（180～250s），高溫氧化處理完成后，硅片表面會形成一層較厚的SiO₂層，該SiO₂層的厚度不小于2nm（該SiO₂層的厚度為2～8nm），該較厚的SiO₂層會影響制絨，不利于制絨。為了防止該較厚的SiO₂層影響制絨，本發明在制絨槽前道還設置第一鏈式酸洗機，可在第一鏈式酸洗機中對硅片進行酸洗（酸洗采用氫氟酸溶液），使該較厚的SiO₂層完全去除。