[發(fā)明專利]一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110324963.7
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN113078171B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔帆;艾飛;宋繼越
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發(fā)明公開了一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板。該陣列基板包括基板和感光元件。所述感光元件設(shè)置在所述基板上，所述感光元件包括依次層疊設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層以及透明電極層；其中，所述摻雜半導(dǎo)體層為N型摻雜半導(dǎo)體，所述透明電極層為P型透明電極，或所述摻雜半導(dǎo)體層為P型摻雜半導(dǎo)體，所述透明電極層為N型透明電極。通過改進(jìn)感光元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，能夠增強(qiáng)本征半導(dǎo)體層入射界面對光線的吸收，從而增強(qiáng)感光元件的靈敏度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板。

背景技術(shù)

隨著面板產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，人們除了對顯示器高分辨、寬視角、低功耗等要求外，也對顯示面板提出了其它要求。豐富面板功能，增加人機(jī)互動(dòng)，提高顯示面板的競爭力，是目前顯示面板的主要發(fā)展方向之一。

光學(xué)指紋，環(huán)境光傳感器等感光元件(sensor)是目前發(fā)展比較火熱的方向。目前面板廠的生產(chǎn)工藝常采用多晶硅(poly-Si)制作感光sensor的吸光層，但poly-Si感光sensor的厚度太薄，不足以吸收足夠的光強(qiáng)，因而會(huì)影響感光sensor的靈敏度。單晶硅(α-Si)作為可見光強(qiáng)吸收材料，具有厚度可控優(yōu)點(diǎn)，是作為感光sensor吸光層的較佳選擇。

目前集成到陣列基板的感光sensor采用P-α-Si/n-poly-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)或者P-α-Si/本征α-Si/n-poly-Si結(jié)構(gòu)。由于無論是離子注入或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)生長的P-α-Si都處在入射光的頂端，遠(yuǎn)離異質(zhì)結(jié)的結(jié)區(qū)，電場較弱，無法有效分離光生電子和空穴，嚴(yán)重影響感光sensor的靈敏度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板，通過改進(jìn)感光元件的結(jié)構(gòu)提高靈敏度。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：

基板；

感光元件，所述感光元件設(shè)置在所述基板上，所述感光元件包括依次層疊設(shè)置的摻雜半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層以及透明電極層；其中，所述摻雜半導(dǎo)體層為N型摻雜半導(dǎo)體，所述透明電極層為P型透明電極，或所述摻雜半導(dǎo)體層為P型摻雜半導(dǎo)體，所述透明電極層為N型透明電極。

在一些實(shí)施例中，所述透明電極層的厚度為至

在一些實(shí)施例中，所述透明電極層采用的材料為金屬氧化物。

在一些實(shí)施例中，所述基板與所述摻雜半導(dǎo)體層之間還設(shè)置有遮光層、緩沖層，所述遮光層設(shè)置在所述基板的一側(cè)表面并部分覆蓋所述基板，所述緩沖層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)并延伸至所述基板，所述感光元件設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且設(shè)置在所述遮光層在所述基板的正投影內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，所述摻雜半導(dǎo)體層采用的材料為多晶硅，所述本征半導(dǎo)體層采用的材料為非晶硅。

在一些實(shí)施例中，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述摻雜半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)并延伸至所述緩沖層，所述第一絕緣層上設(shè)置有第一通孔；所述本征半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述本征半導(dǎo)體層通過所述第一通孔與所述摻雜半導(dǎo)體層連接；所述第二絕緣層設(shè)置在所述本征半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)并延伸至所述第一絕緣層，所述第二絕緣層上設(shè)置有第二通孔；所述透明電極層設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述摻雜半導(dǎo)體層的一側(cè)，所述透明電極層通過所述第二通孔與所述本征半導(dǎo)體層連接。

在一些實(shí)施例中，還包括金屬層，所述金屬層與所述透明電極層同層設(shè)置，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上還設(shè)置有第三通孔，所述金屬層通過所述第三通孔與所述摻雜半導(dǎo)體層連接。

在一些實(shí)施例中，所述摻雜半導(dǎo)體層及所述本征半導(dǎo)體層采用的材料均為非晶硅。