[發明專利]一種陣列基板、陣列基板制程方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202110324963.7
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113078171B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 龔帆;艾飛;宋繼越
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

感光元件，所述感光元件設置在所述基板上，所述感光元件包括依次層疊設置的摻雜半導體層、本征半導體層以及透明電極層；其中，所述摻雜半導體層為N型摻雜半導體，所述透明電極層為P型透明電極，或所述摻雜半導體層為P型摻雜半導體，所述透明電極層為N型透明電極；

所述陣列基板還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋在所述摻雜半導體層上，所述第一絕緣層上設置有第一通孔；所述本征半導體層設置在所述第一絕緣層遠離所述基板的一側，所述本征半導體層通過所述第一通孔與所述摻雜半導體層連接；所述第二絕緣層覆蓋在所述本征半導體層和所述第一絕緣層上，所述第二絕緣層上設置有第二通孔；所述透明電極層設置在所述第二絕緣層遠離所述摻雜半導體層的一側，所述透明電極層通過所述第二通孔與所述本征半導體層連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極層的厚度為至

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極層采用的材料為金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板與所述摻雜半導體層之間還設置有遮光層、緩沖層，所述遮光層設置在所述基板的一側表面并部分覆蓋所述基板，所述緩沖層設置在所述遮光層遠離所述基板的一側并延伸至所述基板，所述感光元件設置在所述緩沖層遠離所述基板的一側，且設置在所述遮光層在所述基板的正投影內。

5.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述摻雜半導體層采用的材料為多晶硅，所述本征半導體層采用的材料為非晶硅。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層還覆蓋在所述緩沖層上。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括金屬層，所述金屬層與所述透明電極層同層設置，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上還設置有第三通孔，所述金屬層通過所述第三通孔與所述摻雜半導體層連接。

8.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層包括依次層疊設置的硅氮化合物層、硅氧化合物層或上述膜層的組合。

9.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述摻雜半導體層的厚度為至

10.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述本征半導體層的厚度為至

11.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述摻雜半導體層的費米能級大小為4.2至4.7，所述本征半導體層的費米能級大小為4.6至5.0，所述透明電極層的費米能級大小為4.9至5.5。

12.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述摻雜半導體層的折射率大小為3.8至4.2，所述本征半導體層的折射率大小為3.6至4.1，所述透明電極層的折射率大小為1.6至2.0。

13.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

感光元件，所述感光元件設置在所述基板上，所述感光元件包括依次層疊設置的摻雜半導體層、本征半導體層以及透明電極層；其中，所述摻雜半導體層為N型摻雜半導體，所述透明電極層為P型透明電極，或所述摻雜半導體層為P型摻雜半導體，所述透明電極層為N型透明電極；

所述陣列基板還包括第一絕緣層，所述摻雜半導體層設置在所述基板上，所述本征半導體層設置在所述摻雜半導體層遠離所述基板的一側；所述第一絕緣層覆蓋在所述本征半導體層上，所述第一絕緣層上設置有第一通孔；所述透明電極層設置在所述第一絕緣層遠離所述本征半導體層的一側，所述透明電極層通過所述第一通孔與所述本征半導體層連接。