[發(fā)明專利]石墨基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110324243.0
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113278953B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛永暉;梅勁;劉春楊;陳張笑雄;丁濤
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;H01L21/673;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種石墨基板，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述石墨基板為圓盤，其特征在于，所述石墨基板的外周壁上具有多個環(huán)形凹槽，所述多個環(huán)形凹槽與所述石墨基板同軸，且所述多個環(huán)形凹槽沿所述石墨基板的軸向間隔布置在所述石墨基板的上表面和下表面之間，相鄰兩個所述環(huán)形凹槽之間形成一個格柵，每個所述格柵均為圓環(huán)結(jié)構(gòu)。在本公開提供的石墨基板上生長外延片，可以使得外延片各個區(qū)域的發(fā)光波長一致，從而可以提高外延片的片內(nèi)均勻性，保證邊緣良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種石墨基板。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管。LED具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保的優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。尤其是利用大功率LED實現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，有望成為新一代光源進入千家萬戶，引起人類照明史的革命。

外延片是LED制作過程中的初級成品。形成外延片時，將襯底放置在金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)的托盤上，MOCVD設(shè)備中的加熱絲提供的熱能通過托盤傳導(dǎo)到襯底，同時向反應(yīng)腔內(nèi)通入原材料，在襯底上外延生長半導(dǎo)體材料形成外延片。現(xiàn)在的托盤大部分是采用石墨基板。石墨基板上設(shè)有多個凹槽，一個凹槽中可以容納一個襯底。

在實現(xiàn)本公開的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

襯底放置在凹槽中時，石墨基板在外延片形成過程中高速旋轉(zhuǎn)，凹槽內(nèi)的襯底在離心力的作用下會向石墨基板的邊緣偏移。且距離石墨基板的中心越遠，凹槽內(nèi)的襯底受到的離心力越大，襯底向石墨基板的邊緣的偏移量越大，則襯底側(cè)面與石墨基板的接觸面越大。而加熱絲提供的熱能是通過石墨基板傳導(dǎo)到襯底的，因此，襯底側(cè)面與石墨基板的接觸面積越大，生長溫度越高，襯底上形成的外延片的翹曲越明顯。所以，同一石墨基板上同時形成的外延片的翹曲會存在差異，極大影響了各個外延片的波長均勻性。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供了一種石墨基板，可以使得外延片各個區(qū)域的發(fā)光波長一致，從而可以提高外延片的片內(nèi)均勻性，保證邊緣良率。所述技術(shù)方案如下：

本公開實施例提供了一種石墨基板，所述石墨基板為圓盤，其特征在于，所述石墨基板的外周壁上具有多個環(huán)形凹槽，所述多個環(huán)形凹槽與所述石墨基板同軸，且所述多個環(huán)形凹槽沿所述石墨基板的軸向間隔布置在所述石墨基板的上表面和下表面之間，相鄰兩個所述環(huán)形凹槽之間形成一個格柵，每個所述格柵均為圓環(huán)結(jié)構(gòu)。

可選地，每個所述環(huán)形凹槽的槽寬均為0.5mm～5mm。

可選地，從所述石墨基板的上表面至所述石墨基板的下表面方向，每個所述環(huán)形凹槽的槽寬逐漸增大。

可選地，每個所述格柵的厚度均為0.5mm～2mm。

可選地，從所述石墨基板的上表面至所述石墨基板的下表面方向，每個所述格柵的厚度逐漸增大。

可選地，每個所述格柵的外徑與內(nèi)徑的差值均為50mm～150mm。

可選地，從所述石墨基板的上表面至所述石墨基板的下表面方向，每個所述格柵的外徑與內(nèi)徑的差值逐漸增大。

可選地，所述石墨基板包括沿所述石墨基板的軸向間隔布置的n個格柵，3≤n≤10。

可選地，n個所述格柵至所述石墨基板的上表面的最小距離大于20mm。

可選地，n個所述格柵至所述石墨基板的下表面的最小距離大于10mm。

本公開實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：