[發明專利]硅片清洗劑及制備方法和硅片清洗工藝在審
| 申請號: | 202110324141.9 | 申請日: | 2021-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN113046191A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 馬琦雯;鄧舜 | 申請(專利權)人: | 常州時創能源股份有限公司 |
| 主分類號: | C11D1/72 | 分類號: | C11D1/72;C11D3/04;C11D3/30;C11D3/33;B08B3/12;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 洗劑 制備 方法 清洗 工藝 | ||
本發明公開了一種硅片清洗劑及制備方法和硅片清洗工藝,所述硅片清洗劑由如下質量百分比的各組分制成:無機堿2~6%,氮川三乙酸三鈉2~6%,牛油脂肪醇聚氧乙烯醚0.5~6%,十二烷基三甲基氯化銨2~6%,余量為純水。本發明的硅片清洗劑,能夠快速地清洗掉硅片表面吸附的硅粉,而且清洗后硅片表面殘留的清洗劑很少;本發明的硅片清洗工藝,使得清洗后硅片表面殘留的有機物少,大大提高了硅片的外觀合格率,提升了硅片的表面質量,所制成的太陽能電池的轉換效率提高了0.03~0.05%。
技術領域
本發明涉及光伏太陽能電池用硅片切割領域,尤其涉及硅片清洗劑及制備方法和硅片清洗工藝。
背景技術
半導體器件生產過程所用到的硅片切割后必須經過嚴格的清洗,微量的污染也會導致器件失效,而清洗的目的就在于去除硅片表面的污染雜質,包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面,這些雜質會導致各種缺陷。
隨著光伏太陽能電池技術的快速更新替代,單晶硅電池工藝技術路線愈發成熟,促成了P型PERC、N型PERT、N型PERL、TOPCon電池及HJT等電池技術的研發應用。這些高效電池市場占有率逐年遞增,并進一步激發了行業對更高效率電池技術開發的熱情。隨之發展的,行業對硅片表面狀況及質量也提出了更高的潔凈度要求。目前市面上的清洗劑清洗硅片仍存在很多問題,例如對有機物的去除能力較差、清洗硅片表面吸附的硅粉速度差、清洗后硅片表面殘留的清洗劑較多等,這些問題都嚴重影響了太陽能電池的外觀及轉換效率。因此,在硅片切割環節,硅片脫膠后清洗顯得非常重要,研發出一種新型的硅片清洗劑和硅片清洗方法具有重大的意義。
發明內容
發明目的:本發明提出一種硅片清洗劑,能夠快速地清洗掉硅片表面吸附的硅粉,而且清洗后硅片表面殘留的清洗劑較少。
本發明還提出了上述硅片清洗劑的制備方法。
本發明還提出了一種結合上述硅片清洗劑的硅片清洗工藝,結合上述硅片清洗劑對硅片進行清洗,能夠提高太陽能電池的外觀和轉換效率。
技術方案:本發明采用如下技術方案:
一種硅片清洗劑,由如下質量百分比的各組分制成:無機堿2~6%,氮川三乙酸三鈉2~6%,牛油脂肪醇聚氧乙烯醚0.5~6%,十二烷基三甲基氯化銨2~6%,余量為純水。
優選的,所述無機堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
本發明還提供了上述硅片清洗劑的制備方法,包括如下步驟:
(1)按質量百分比分別稱取各組分;
(2)將純水加入到攪拌釜中,向純水中加入無機堿、氮川三乙酸三鈉、牛油脂肪醇聚氧乙烯醚和十二烷基三甲基氯化銨,攪拌均勻,得所述硅片清洗劑。
進一步地,本發明還提供了一種硅片清洗工藝,依次包括采用上述硅片清洗劑清洗硅片、對硅片進行鏈式氧化燒結以及對硅片進行酸洗。
更具體地,本發明提供的一種硅片清洗工藝,具體包括如下步驟:
(1)硅片于純水中進行超聲波預清洗;
(2)先將本發明上述硅片清洗劑配制成水溶液,再將步驟(1)清洗后的硅片置于水溶液中,進行超聲波清洗;
(3)硅片純水漂洗;
(4)硅片送入鏈式氧化爐中進行鏈式氧化燒結;
(5)硅片酸洗;
(6)硅片純水漂洗后烘干。
優選的,步驟(2)中,所述硅片清洗劑配制成的水溶液的質量百分比濃度為3~6%。
優選的,步驟(2)中,所述清洗的時間為360~900s。
優選的,步驟(4)中,所述鏈式氧化燒結的溫度為300~800℃,時間為180~250s。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州時創能源股份有限公司,未經常州時創能源股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110324141.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





