[發明專利]硅片清洗劑及制備方法和硅片清洗工藝

在審

• 申請號: 202110324141.9
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113046191A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 馬琦雯;鄧舜
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: C11D1/72
• 分類號: C11D1/72;C11D3/04;C11D3/30;C11D3/33;B08B3/12;H01L21/02;H01L31/18
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1.一種硅片清洗劑，其特征在于，由如下質量百分比的各組分制成：無機堿2~6%，氮川三乙酸三鈉2~6%，牛油脂肪醇聚氧乙烯醚0.5~6%，十二烷基三甲基氯化銨2~6%，余量為純水。

2.根據權利要求1所述的一種硅片清洗劑，其特征在于：所述無機堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀。

3.一種如權利要求1-2任一項所述的硅片清洗劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）按質量百分比分別稱取各組分；

（2）將純水加入到攪拌釜中，向純水中加入無機堿、氮川三乙酸三鈉、牛油脂肪醇聚氧乙烯醚和十二烷基三甲基氯化銨，攪拌均勻，得所述硅片清洗劑。

4.一種硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括采用權利要求1-2任一項所述的硅片清洗劑清洗硅片、對硅片進行鏈式氧化燒結以及對硅片進行酸洗。

5.根據權利要求4所述的硅片清洗工藝，其特征在于，包括如下步驟：

（1）硅片于純水中進行超聲波預清洗；

（2）先將權利要求1-2任一項所述的硅片清洗劑配制成水溶液，再將步驟（1）清洗后的硅片置于水溶液中，進行超聲波清洗；

（3）硅片純水漂洗；

（4）硅片送入鏈式氧化爐中進行鏈式氧化燒結；

（5）硅片酸洗；

（6）硅片純水漂洗后烘干。

6.根據權利要求5所述的硅片清洗工藝，其特征在于：步驟（2）中，所述硅片清洗劑配制成的水溶液的質量百分比濃度為3~6%。

7.根據權利要求6所述的硅片清洗工藝，其特征在于：步驟（2）中，所述清洗的時間為360~900s。

8.根據權利要求5所述的硅片清洗工藝，其特征在于：步驟（4）中，所述鏈式氧化燒結的溫度為300~800℃，時間為180~250s。

9.根據權利要求5所述的硅片清洗工藝，其特征在于：步驟（5）中，所述酸洗所用的酸液為質量百分比濃度分別為5~10%的HF和HCL的水溶液。

10.根據權利要求9所述的硅片清洗工藝，其特征在于：步驟（5）中，所述酸洗的時間為300~480s。