[發明專利]離型膜和其制造方法在審
| 申請號: | 202110324128.3 | 申請日: | 2021-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN113444276A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 禹惠美;金兌根 | 申請(專利權)人: | 東麗尖端素材株式會社 |
| 主分類號: | C08J7/046 | 分類號: | C08J7/046;C09D183/08;C09D7/61;C09D7/65;C08L67/02 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 夏正東 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離型膜 制造 方法 | ||
1.一種離型膜,其中,基材和離型層依次位置,
所述離型層為包括包括氟化聚硅氧烷的聚合物或共聚物以及有機或無機粒子的硬化膜,
所述有機或無機粒子的平均粒徑具有硬化后的所述硬化膜的厚度的1000%至3000%的范圍。
2.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述氟化聚硅氧烷包括由下化學式1表示的有機聚硅氧烷:
化學式1
化學式2
化學式3
其中,在所述化學式1中,
R1為取代或未取代的C1至C10的一價烴基或取代或未取代的C2至C10的鏈烯基;
R2為取代或未取代的C1至C10的一價烴基、取代或未取代的C2至C10的鏈烯基或氫基;
R3為由所述式化學式2表示的氟化烷基、由所述化學式3表示的氟化醚基或其組合;
n為1至8的整數,m為1至5的整數;
p為1至5的整數,q為0或1,r為0、1或2,v為1至5的整數;
A為氧原子或單鍵;
x、y和z分別為大于或等于1的整數;
*為與相鄰原子的鍵合位置;
然而,R1和R2中的至少一個是取代或未取代的C2至C10的鏈烯基。
3.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述有機或無機粒子為選自天然礦物;1族至4族、11族至12族、14族、16族至18族元素的氧化物、氫氧化物、硫化物、氮化物或鹵化物;碳酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、磷酸鹽、亞磷酸鹽、羧酸鹽、硅酸鹽、鈦酸鹽、硼酸鹽或其水合物;以及其復合化合物的無機粒子。
4.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述有機或無機粒子為選自氟基樹脂、三聚氰胺基樹脂、苯乙烯基樹脂、丙烯酸基樹脂、硅基樹脂、苯乙烯-二乙烯基苯基共聚物樹脂以及與這些樹脂交聯的聚合物或共聚物的有機粒子。
5.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述離形層進一步包括含氫聚硅氧烷和酸催化劑中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述離型層硬化膜的厚度為0.03μm至3μm。
7.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
在所述離型層的XPS表面分析時,根據下式1的F/Si原子比為1.5至3.5:
式1
F/Si原子比=[離型層表面的氟含量(原子%)/離型層表面的硅含量(原子%)] 。
8.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述離型層的根據下式2的剝離力變化率等于或小于30%:
式2
剝離力變化率(%)={(30天后的剝離力-初始剝離力)/(初始剝離力)}×100 。
9.根據權利要求1所述的離型膜,其中,
所述離型膜的殘余粘著率大于或等于90%。
10.一種制造離型膜的方法,包括:
準備基材;以及
通過在所述基材的至少一表面上涂覆包括包括氟化聚硅氧烷的聚合物或共聚物以及有機或無機粒子的用于形成離型層的組合物并進行干燥,從而形成離型層,
其中,基于總固形份,所述有機或無機粒子的含量為0.5重量%至10重量%。
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