[發(fā)明專利]一種LED封裝器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110323833.1
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN112864297B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 時(shí)軍朋;涂建斌;黃永特;廖燕秋;徐宸科
• 申請（專利權(quán)）人: 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

本發(fā)明提供一種LED封裝器件，該LED封裝器件包括基板，其具有上表面和下表面；設(shè)置在基板的上表面上的金屬凸臺設(shè)置在金屬凸臺上的LED芯片；覆蓋LED芯片、金屬凸臺及基板的封裝膠體，所述封裝膠體為氟樹脂，其中，金屬凸臺具有圖案結(jié)構(gòu)并且與封裝膠體形成卡扣連接，增加了封裝膠體與基板的粘附力，有效減少切割時(shí)封裝膠體底部的形變量，保證靠近金屬凸臺的固晶區(qū)的封裝膠體和基板緊密結(jié)合，不會(huì)因?yàn)榍懈钍芰冸x；有效防止封裝體在使用過程中，基板和封裝膠體因?yàn)椴煌臒崤蛎浶巫兌鴦冸x；有效防止封裝體在運(yùn)輸或傳送過程中出現(xiàn)封裝膠體震動(dòng)脫落等問題。

本申請是申請人“泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司”于申請日2019年01月29日提交的申請?zhí)枮?019100864389，發(fā)明名稱為“一種LED封裝器件及其制造方法”的發(fā)明專利的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LED封裝器件。

背景技術(shù)

隨著技術(shù)的提升，深紫外LED成本的降低和效率的提升，深紫外LED運(yùn)用越來越廣泛。特別是傳統(tǒng)汞燈退出市場的期限越來越近，深紫外LED燈需求處于爆發(fā)前夕。

現(xiàn)有的深紫外LED封裝，主要是陶瓷碗杯和石英玻璃。存在著體積過大，價(jià)格昂貴的缺點(diǎn)，又因?yàn)楣庀葟乃{(lán)寶石到空氣，再到石英玻璃，所以導(dǎo)致封裝體的出光效率低下。

另外還有一些用平面陶瓷基板，模制硅膠的封裝形式。這種封裝形式主要缺點(diǎn)是深紫外光(290nm以下)對硅膠具有很強(qiáng)的破壞性，長時(shí)間照射容易膠裂，而且硅膠對深紫外光透射率相對來說比較低。另一種常用封裝膠體為含氟材料，但是含氟材料因?yàn)檎掣叫詥栴}，特別難加工，并且在切割時(shí)，容易出現(xiàn)切割脫落，震動(dòng)脫落，回流焊氣泡等問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種LED封裝器件及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中封裝膠體與基板的粘結(jié)性差易脫落等問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明第一方面提供了一種LED封裝器件，包括：

基板，包括上表面和下表面；

設(shè)置在所述基板的上表面上的至少一個(gè)金屬凸臺，至少一個(gè)所述金屬凸臺之間具有第一間隔；

設(shè)置在所述金屬凸臺上的LED芯片；

覆蓋所述LED芯片、所述金屬凸臺及所述基板的封裝膠體；

其中，所述金屬凸臺具有圖案結(jié)構(gòu)，所述封裝膠體與具有所述圖案結(jié)構(gòu)的所述金屬凸臺形成卡扣連接。

優(yōu)選地，所述金屬凸臺包括形成在所述基板上的金屬鍍層。

優(yōu)選地，所述金屬凸臺的厚度大于等于所述封裝膠體厚度的0.1倍。

優(yōu)選地，所述金屬凸臺的邊緣距所述封裝膠體邊緣的距離小于等于0.1mm。

優(yōu)選地，所述金屬凸臺的寬度大于等于所述封裝膠體厚度的1/3，其中所述金屬凸臺的寬度指所述金屬凸臺在垂直于切割方向上的寬度。

優(yōu)選地，所述金屬凸臺包括固晶區(qū)及隔離帶。

更加優(yōu)選地，所述固晶區(qū)位于所述金屬凸臺的中間部分，所述固晶區(qū)包括相對設(shè)置且以第二間隔相互分隔的正極固晶區(qū)及負(fù)極固晶區(qū)，其中正極固晶區(qū)連接所述LED芯片的正極，負(fù)極固晶區(qū)連接所述LED芯片的負(fù)極。

更加優(yōu)選地，所述隔離帶位于所述金屬凸臺的邊緣部分，所述隔離帶具有圖案結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述固晶區(qū)及所述隔離帶的厚度相同。

優(yōu)選地，所述隔離帶包括封閉的結(jié)構(gòu)，并且與所述固晶區(qū)相互分隔。

優(yōu)選地，所述隔離帶形成相互分隔的第一部分和第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分包括L型結(jié)構(gòu)。