[發明專利]圖案結構制作方法和掩膜結構

有效

• 申請號: 202110323735.8
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113073292B
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 蘇圣勛;劉強;劉亞偉;杜哲
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/14;C23C14/24
• 代理公司: 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310
• 代理人: 宋江

本申請提供的圖案結構制作方法和掩膜結構，涉及金屬圖案制作技術領域。在本申請中，首先，提供一掩膜結構，其中，掩膜結構包括第一基板和金屬抑制結構，第一基板包括開口區域和非開口區域，金屬抑制結構用于抑制金屬材料的附著。其次，在第一基板遠離金屬抑制結構的一側形成第二基板。然后，通過開口區域在第二基板靠近金屬抑制結構的一側形成金屬結構，最后，分離出第二基板和金屬結構，得到目標結構。基于上述方法，可以提高掩膜結構的使用壽命。

技術領域

本申請涉及金屬圖案制作技術領域，具體而言，涉及一種圖案結構制作方法和掩膜結構。

背景技術

金屬圖案的制作，一般會使用掩膜結構(mask)。但是，在制作金屬圖案時，對應的金屬材料會附著在掩膜結構上，如此，使得再次基于所述掩膜結構制作金屬圖案時需要對掩膜結構上附著的金屬材料進行清洗。其中，掩膜結構在經過清洗之后，會產生一定的損傷，降低使用壽命。

發明內容

有鑒于此，本申請的目的在于提供一種圖案結構制作方法和掩膜結構，以提高掩膜結構的使用壽命。

為實現上述目的，本申請實施例采用如下技術方案：

一種圖案結構制作方法，包括：

提供一掩膜結構，其中，所述掩膜結構包括第一基板和金屬抑制結構，所述第一基板包括開口區域和非開口區域，所述開口區域的至少部分區域位于所述金屬抑制結構在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非開口區域位于所述金屬抑制結構在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金屬抑制結構用于抑制金屬材料的附著；

在所述第一基板遠離所述金屬抑制結構的一側形成第二基板，其中，所述開口區域的至少部分區域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；

從所述金屬抑制結構所在的一側，通過所述開口區域在所述第二基板靠近所述金屬抑制結構的一側形成金屬結構；

分離出所述第二基板和所述金屬結構，得到目標結構，其中，所述目標結構包括所述第二基板和所述金屬結構，所述金屬結構作為圖案結構。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述圖案結構制作方法中，在分離出所述第二基板和所述金屬結構之后，所述方法還包括：

在所述金屬抑制結構遠離所述第一基板的一側形成金屬附著結構，其中，所述開口區域的至少部分區域位于所述金屬附著結構在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非開口區域位于所述金屬附著結構在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金屬附著結構具有易于在金屬材料上附著的屬性；

在所述金屬附著結構遠離所述金屬抑制結構的一側形成新的金屬抑制結構，其中，所述開口區域的至少部分區域位于所述新的金屬抑制結構在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非開口區域位于所述新的金屬抑制結構在所述第一基板所在平面的投影中，所述新的金屬抑制結構用于抑制金屬材料的附著；

在所述第一基板遠離所述金屬抑制結構的一側形成新的第二基板，其中，所述開口區域的至少部分區域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；

從所述新的金屬抑制結構所在的一側，通過所述開口區域在所述新的第二基板靠近所述新的金屬抑制結構的一側形成新的金屬結構；

分離出所述新的第二基板和所述新的金屬結構，得到新的目標結構，其中，所述新的目標結構包括所述新的第二基板和所述新的金屬結構。

在本申請實施例較佳的選擇中，在上述圖案結構制作方法中，在執行所述在所述金屬抑制結構遠離所述第一基板的一側形成金屬附著結構的步驟之前，所述方法還包括：

確定所述金屬抑制結構上的金屬材料沉積量是否大于沉積量閾值；

若所述金屬材料沉積量大于所述沉積量閾值，再執行所述在所述金屬抑制結構遠離所述第一基板的一側形成金屬附著結構的步驟。