[發明專利]微型LED顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 202110322711.0
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN112864290B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 莊永漳
• 申請（專利權）人: 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/44
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種微型LED顯示器，其特征在于，包括：

基板，所述基板中形成有驅動電路以及驅動電路上的觸點；

鍵合層，所述鍵合層在所述基板上形成；

第一摻雜型半導體層，所述第一摻雜型半導體層在所述鍵合層上形成；

多重量子阱層，所述多重量子阱層在所述第一摻雜型半導體層上形成；

第二摻雜型半導體層，所述第二摻雜型半導體層在所述多重量子阱層上形成，其中，所述第二摻雜型半導體層包括通過離子注入制成的隔離材料，所述隔離材料將所述第二摻雜型半導體層劃分為彼此電隔離的多個LED臺面，所述第一摻雜型半導體層在各LED臺面下方連續的延伸；

每個觸點位于相鄰的LED臺面的間隙處；

鈍化層，所述鈍化層形成在所述第二摻雜型半導體層上，具有第一開口以及第二開口，每一第一開口和相應的一個第二開口對應一個LED臺面，所述第一開口暴露所述第二摻雜型半導體層的一部分，每一第二開口位于對應的一個觸點上方并暴露該觸點；以及

電極層，所述電極層形成在所述鈍化層上，通過所述鈍化層上的第一開口與所述第二摻雜型半導體層的一部分接觸，所述電極層通過每個位于第二摻雜型半導體層上方的第一開口和相應的一個第二開口將所述第二摻雜型半導體層與相應觸點電連接。

2.根據權利要求1所述的微型LED顯示器，其特征在于，所述多個LED臺面包括第一LED臺面和與所述第一LED臺面相鄰的第二LED臺面，其中，所述第一LED臺面下方的所述多重量子阱層、所述第一摻雜型半導體層和所述鍵合層水平延伸至所述第二LED臺面下方的所述多重量子阱層、所述第一摻雜型半導體層和所述鍵合層。

3.一種微型LED顯示器，其特征在于，包括：

基板，所述基板中形成驅動電路以及驅動電路上的觸點；

多個LED單元，所述多個LED單元在所述基板上形成，每個LED單元包括：

鍵合層，所述鍵合層在所述基板上形成，

第一摻雜型半導體層，所述第一摻雜型半導體層在所述鍵合層上形成，

多重量子阱層，所述多重量子阱層在所述第一摻雜型半導體層上形成，

第二摻雜型半導體層，所述第二摻雜型半導體層在所述多重量子阱層上形成，

其中，所述多個LED單元包括第一LED單元和與所述第一LED單元相鄰的第二LED單元，其中，所述第一LED單元的所述第二摻雜型半導體層通過離子注入材料與所述第二LED單元的所述第二摻雜型半導體層電隔離，每個LED單元的第一摻雜型半導體層跨多個LED單元連續的延伸；

觸點位于相鄰LED單元的間隙處；

鈍化層，所述鈍化層形成在由所述離子注入材料隔離的多個所述LED單元的所述第二摻雜型半導體層上，所述鈍化層具有第一開口以及第二開口，每一第一開口和相應的一個第二開口對應一個LED單元，每一第二開口位于對應的一個觸點上方并暴露該觸點；和

電極層，所述電極層形成在所述鈍化層上，通過每個LED單元的所述鈍化層上的第一開口與每個LED單元的所述第二摻雜型半導體層的一部分接觸，并通過每個位于LED單元上方的所述第一開口和相應的一個第二開口將每個LED單元的所述第二摻雜型半導體層與相應觸點電連接。

4.根據權利要求3所述的微型LED顯示器，其特征在于，所述第一LED單元下方的所述多重量子阱層、所述第一摻雜型半導體層和所述鍵合層水平延伸至所述第二LED單元下方的所述多重量子阱層、所述第一摻雜型半導體層和所述鍵合層。

5.根據權利要求4所述的微型LED顯示器，其特征在于，在所述第二摻雜型半導體層中和所述多重量子阱層上形成所述離子注入材料。

6.根據權利要求3所述的微型LED顯示器，其特征在于，所述離子注入材料包括氫、氦、氮、氧、氟、鎂、硅或氬離子注入材料。