[發明專利]微型LED顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 202110322711.0 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN112864290B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 莊永漳 | 申請(專利權)人: | 鐳昱光電科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/06 | 分類號: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 led 顯示器 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及一種微型LED顯示器,包括基板、鍵合層、第一摻雜型半導體層、多重量子阱層(MQW層)、第二摻雜型半導體層、鈍化層以及電極層。鍵合層形成在基板上,并且第一摻雜型半導體層形成在鍵合層上。MQW層形成在第一摻雜型半導體層上,第二摻雜型半導體層形成在MQW層上。第二摻雜型半導體層包括通過離子注入制成的隔離材料,并且鈍化層形成在第二摻雜型半導體層上。電極層形成在鈍化層上,通過鈍化層上的第一開口與第二摻雜型半導體層的一部分接觸。
相關申請的交叉引用
本發明要求2020年4月9日提交的,標題為“離子注入的微型LED(Ion-implantedMicro-LED)”的美國臨時專利申請第63/007,831號的優先權權益,其公開內容在此通過引用以整體并入。
技術領域
本發明涉及一種發光二極管(LED)結構和一種制造該LED結構的方法,更具體地,涉及一種具有被隔離層包圍的多個LED單元的LED結構及其制造方法。
背景技術
近年來,LED已經在照明應用中變得流行。作為光源,LED具有許多優點,包括更高的光效率、更低的能耗、更長的使用壽命、更小的尺寸以及更快的開關速度。
具有微型尺寸LED的顯示器被稱為微型LED(micro-LEDs)。微型LED顯示器具有形成單個像素元件的微型LED陣列。像素可以是顯示屏上的微小照明區域,可以由許多像素構成圖像。換句話說,像素可以是小的離散元素,它們一起構成顯示器上的圖像。像素通常以二維(2D)矩陣排列,并使用點、正方形、矩形或其他形狀表示。像素可以是顯示器或數字圖像的基本單元,并具有幾何坐標。
當制造微型LED時,經常使用諸如干法蝕刻或濕法蝕刻工藝來使各個微型LED電隔離。為了產生多個完全隔離的功能性微型LED臺面,常規過程通常完全蝕刻掉連續的功能性外延層。然而,當將常規微型LED臺面轉移到基板上或在轉移到諸如驅動電路基板等的基板之后,由于微型LED臺面的粘附性弱,所以完全隔離的功能性微型LED臺面可能容易從基板上剝離。當微型LED臺面變得更小時,這個問題變得更加嚴重。此外,在用于隔離微型LED臺面的常規蝕刻過程中,微型LED臺面的側壁可能被損壞并影響LED結構的光學和電學性質。
本發明的實施例通過提供一種具有被隔離層包圍的多個LED單元的LED結構及其制造方法而解決了上述問題,因此可以避免使用蝕刻過程的缺點。
發明內容
本發明公開了一種LED結構和形成該LED結構的方法的實施例。
在一個實施例中,公開了一種LED結構。該LED結構包括:基板;鍵合層;第一摻雜型半導體層;多重量子阱(Multiple Quantum Wells,MQW)層;第二摻雜型半導體層;鈍化層;以及電極層。鍵合層形成在基板上,并且第一摻雜型半導體層形成在鍵合層上。在第一摻雜型半導體層上形成MQW層,并且在MQW層上形成第二摻雜型半導體層。第二摻雜型半導體層包括通過離子注入制成的隔離材料,并且鈍化層形成在第二摻雜型半導體層上。電極層形成在鈍化層上,并通過鈍化層上的第一開口與第二摻雜型半導體層的一部分接觸。
在另一實施例中,公開了一種LED結構。該LED結構包括基板和形成在基板上的多個LED單元。每個LED單元包括:鍵合層,其形成在基板上;第一摻雜型半導體層,其形成在鍵合層上;多重量子阱層,其形成在第一摻雜型半導體層上;以及第二摻雜型半導體層,其形成在MQW層上。多個LED單元包括第一LED單元和與第一LED單元相鄰的第二LED單元。第一LED單元的第二摻雜型半導體層通過離子注入材料與第二LED單元的第二摻雜型半導體層電隔離。
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