[發明專利]封閉式片盒在審
| 申請號: | 202110322053.5 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN113097112A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 任西鵬;李冬冬 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封閉式 | ||
本申請公開了一種封閉式片盒,涉及半導體制造領域。該封閉式片盒包括頂板、底板和連接于頂板與底板之間的多個立柱,所述立柱上設有多個槽位;所述封閉式片盒還包括活動門和側板,所述活動門和所述側板分別圍設在多個所述立柱的外側,所述活動門、所述側板、所述頂板和所述底板共同圍成容納空間,所述活動門的頂部與所述頂板活動連接,所述活動門的底部與所述底板活動連接,所述活動門能夠開啟或關閉所述容納空間。本申請能夠降低晶圓表面的雜質,有效防止晶圓表面被污染。
技術領域
本申請屬于半導體制造技術領域,具體涉及一種封閉式片盒。
背景技術
AlN磁控濺射設備是一種廣泛應用于LED領域的薄膜制備設備,其使用物理氣象沉積法(PVD)在晶圓(襯底)表面沉積一層AlN薄膜。相關技術中的AlN磁控濺射設備主要包括潔凈工作臺、裝載腔、傳輸腔、工藝腔和冷卻腔。工藝托盤傳輸的具體流程為:操作人員將潔凈工作臺以SiC(碳化硅)托盤作為載體進行晶圓裝載,之后進入裝載腔(大氣和真空交互),腔室抽至真空狀態,托盤進入傳輸腔(腔室為真空狀態),通過機械手將托盤傳入工藝腔進行工藝,工藝完成后進入冷卻腔進行冷卻,之后再傳回裝載腔,充氮氣至大氣狀態后進行取片操作。由于裝載腔與外界交互會引入塵埃,塵埃會影響后續芯片電性能和良率。
為了將推盤傳入傳輸腔,相關技術中采用片盒搬運片盒,具體為:通過導片機或操作人員將載有晶圓的SiC托盤裝入片盒的槽位中,然后將片盒搬運至裝載腔進行AlN工藝。
然而,上述片盒無法將晶圓與大氣隔絕,導致晶圓表面在裝載和搬運過程中不可避免地被大氣環境中的塵埃污染,從而增加AlN工藝過程中顆粒的數量,與此同時,裝載腔在裝載或卸載片盒時,由于充氣會引入塵埃,污染晶圓表面,從而增加晶圓表面顆粒的數量。
發明內容
本申請實施例的目的是提供一種封閉式片盒,能夠解決常規片盒無法隔絕晶圓與外界環境,從而導致晶圓表面受到污染而增加AlN工藝過程中晶圓表面顆粒數量的問題。
為了解決上述技術問題,本申請是這樣實現的:
本申請實施例提供了一種封閉式片盒,該封閉式片盒包括:
頂板、底板和連接于頂板與底板之間的多個立柱,所述立柱上設有多個槽位;
所述封閉式片盒還包括活動門和側板,所述活動門和所述側板分別圍設在多個所述立柱的外側,所述活動門、所述側板、所述頂板和所述底板共同圍成容納空間,所述活動門的頂部與所述頂板活動連接,所述活動門的底部與所述底板活動連接,所述活動門能夠開啟或關閉所述容納空間。
本申請實施例中,通過頂板、底板、側板和活動門共同圍成一密閉的容納空間,且活動門可進行開啟或關閉,在需要向密閉式片盒內送入載有晶圓的托盤時,將活動門開啟,從而方便載有晶圓的托盤送入;晶圓隨封閉式片盒裝載和搬運的過程中,活動門關閉,從而將晶圓密封在封閉式片盒內部,避免晶圓在裝載和搬運過程中直接與大氣環境接觸,減少大氣環境中的塵埃對晶圓表面的污染,從而降低晶圓表面顆粒的數量,提高LED制程生產過程中的外延片表面良率。
附圖說明
圖1為本申請實施例公開的活動門處于關閉狀態的封閉式片盒的結構示意圖;
圖2為本申請實施例公開的去掉側板的封閉式片盒的結構示意圖;
圖3為本申請實施例公開的封閉式片盒的后視圖;
圖4為本申請實施例公開的活動門的結構示意圖;
圖5為本申請實施例公開的鎖緊件的示意圖;
圖6為本申請實施例公開的限位部的示意圖;
圖7為本申請實施例公開的第一連桿或第二連桿的示意圖;
圖8為本申請實施例公開的安裝座、懸臂軸、第一連桿或第二連桿、以及緊固件的裝配剖視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





