[發(fā)明專利]ALD噴淋組件及ALD鍍膜設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110317891.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN113106421A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎微明;李翔;周蕓福;王新征;許所昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 張丹

本發(fā)明涉及一種ALD噴淋組件，包括基板、蓋板及第一進(jìn)氣件。蓋板密封連接于基板且覆蓋開口，待加工件放置于反應(yīng)腔內(nèi)，反應(yīng)氣體從第一進(jìn)氣孔進(jìn)入進(jìn)氣腔后，進(jìn)氣腔會(huì)提供給反應(yīng)氣體一個(gè)緩沖空間，經(jīng)過進(jìn)氣腔緩沖后的氣體分布更加均勻。同時(shí)，從第一出氣口排出的反應(yīng)氣體通過多個(gè)第一連通孔進(jìn)入反應(yīng)腔，進(jìn)一步地提高了進(jìn)入反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體的均勻性，從而確保了反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體與待加工件之間的接觸更加均勻，使得最終反應(yīng)氣體在待加工件上生成的薄膜更加均勻，提高了薄膜的質(zhì)量。本發(fā)明還涉及一種ALD鍍膜設(shè)備。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及ALD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種ALD噴淋組件及ALD鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

原子層沉積(Atomic layer deposition，ALD)是一種利用襯底表面上前驅(qū)體的表面飽和反應(yīng)所產(chǎn)生的化學(xué)吸附和脫附而形成單原子層的沉積技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)是將物質(zhì)以單原子層的形式一層一層地沉積在襯底表面，并且通過控制反應(yīng)周期數(shù)簡單、精確地控制薄膜的厚度，形成不同厚度的原子層薄膜。

傳統(tǒng)的ALD裝置是將反應(yīng)氣體直接大量的導(dǎo)入反應(yīng)腔室中，使得襯底或上一原子層沉浸在反應(yīng)氣體中，由于氣體直接大量導(dǎo)入，容易造成反應(yīng)氣體與襯底或上一原子層接觸不均勻，從而導(dǎo)致最終生成的原子層薄膜不均勻，質(zhì)量較差。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的ALD裝置聲場(chǎng)的原子層薄膜質(zhì)量較差的問題，提供一種能夠提升生產(chǎn)的原子層薄膜的均勻性，提高產(chǎn)品質(zhì)量的ALD噴淋組件及ALD鍍膜設(shè)備。

一種ALD噴淋組件，包括：

基板，具有反應(yīng)腔及與所述反應(yīng)腔連通的開口所述反應(yīng)腔用于容置待加工件；

蓋板，密封連接于所述基板具有所述開口的一側(cè)，且覆蓋所述開口，所述蓋板具有與所述反應(yīng)腔連通的多個(gè)第一連通孔；

第一進(jìn)氣件，密封連接于所述蓋板遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且所述第一進(jìn)氣件具有至少兩個(gè)進(jìn)氣腔及與所述進(jìn)氣腔連通的至少兩個(gè)第一進(jìn)氣孔和第一出氣口，兩個(gè)所述進(jìn)氣腔沿與所述蓋板平行且所述第二方向垂直的第三方向間隔設(shè)置，每一所述第一進(jìn)氣孔和每一所述第一出氣口與對(duì)應(yīng)的所述進(jìn)氣腔連通，所述第一進(jìn)氣孔用于向所述進(jìn)氣腔輸入反應(yīng)氣體，所述第一出氣口與每一所述第一連通孔連通，所述第一進(jìn)氣件朝向所述蓋板的一側(cè)具有第一連接槽，所述蓋板朝向所述第一進(jìn)氣件的一側(cè)具有與每一所述第一連通孔連通的第二連接槽，所述第一連接槽與所述第二連接槽對(duì)應(yīng)并連通，以圍合形成連接空間，所述第一出氣口與所述連接空間連通；及

第一隔板，連接于所述蓋板，且位于所述第二連接槽內(nèi)，所述第一隔板用于將所述連接空間分隔成上層空間、下層空間及連通所述上層空間和所述下層空間的連通間隙，所述第一隔板開設(shè)有與所述下層空間連通的導(dǎo)通口，其中一所述第一出氣口與所述上層空間連通，其中另一所述第一出氣口與所述導(dǎo)通口連通。

通過設(shè)置上述的ALD噴淋組件，蓋板密封連接于基板且覆蓋開口，待加工件放置于反應(yīng)腔內(nèi)，反應(yīng)氣體從第一進(jìn)氣孔輸入進(jìn)氣腔，進(jìn)入進(jìn)氣腔內(nèi)的反應(yīng)氣體從第一出氣口排出，并通過多個(gè)第一連通孔進(jìn)入以充滿反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體與待加工件反應(yīng)。

反應(yīng)氣體從第一進(jìn)氣孔進(jìn)入進(jìn)氣腔后，進(jìn)氣腔會(huì)提供給反應(yīng)氣體一個(gè)緩沖空間，經(jīng)過進(jìn)氣腔緩沖后的氣體分布更加均勻。同時(shí)，從第一出氣口排出的反應(yīng)氣體通過多個(gè)第一連通孔進(jìn)入反應(yīng)腔，進(jìn)一步地提高了進(jìn)入反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體的均勻性，從而確保了反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體與待加工件之間的接觸更加均勻，使得最終反應(yīng)氣體在待加工件上生成的薄膜更加均勻，提高了薄膜的質(zhì)量。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ALD噴淋組件還包括至少三個(gè)調(diào)節(jié)腳，每一所述調(diào)節(jié)腳具有沿與所述蓋板垂直的第一方向可往復(fù)移動(dòng)的調(diào)節(jié)端，每一所述調(diào)節(jié)腳的所述調(diào)節(jié)端均連接于所述基板。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，每一所述調(diào)節(jié)腳包括固定座及調(diào)節(jié)座，所述調(diào)節(jié)座螺紋連接于所述固定座，所述調(diào)節(jié)座與所述基板連接。