[發(fā)明專利]ALD噴淋組件及ALD鍍膜設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110317891.3 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN113106421A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黎微明;李翔;周蕓福;王新征;許所昌 | 申請(專利權)人: | 江蘇微導納米科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 張丹 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ald 噴淋 組件 鍍膜 設備 | ||
1.一種ALD噴淋組件,其特征在于,包括:
基板,具有反應腔及與所述反應腔連通的開口所述反應腔用于容置待加工件;
蓋板,密封連接于所述基板具有所述開口的一側,且覆蓋所述開口,所述蓋板具有與所述反應腔連通的多個第一連通孔;
第一進氣件,密封連接于所述蓋板遠離所述基板的一側,且所述第一進氣件具有至少兩個進氣腔及與所述進氣腔連通的至少兩個第一進氣孔和第一出氣口,兩個所述進氣腔沿與所述蓋板平行且所述第二方向垂直的第三方向間隔設置,每一所述第一進氣孔和每一所述第一出氣口與對應的所述進氣腔連通,所述第一進氣孔用于向所述進氣腔輸入反應氣體,所述第一出氣口與每一所述第一連通孔連通,所述第一進氣件朝向所述蓋板的一側具有第一連接槽,所述蓋板朝向所述第一進氣件的一側具有與每一所述第一連通孔連通的第二連接槽,所述第一連接槽與所述第二連接槽對應并連通,以圍合形成連接空間,所述第一出氣口與所述連接空間連通;及
第一隔板,連接于所述蓋板,且位于所述第二連接槽內,所述第一隔板用于將所述連接空間分隔成上層空間、下層空間及連通所述上層空間和所述下層空間的連通間隙,所述第一隔板開設有與所述下層空間連通的導通口,其中一所述第一出氣口與所述上層空間連通,其中另一所述第一出氣口與所述導通口連通。
2.根據(jù)權利要求1所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述ALD噴淋組件還包括至少三個調節(jié)腳,每一所述調節(jié)腳具有沿與所述蓋板垂直的第一方向可往復移動的調節(jié)端,每一所述調節(jié)腳的所述調節(jié)端均連接于所述基板。
3.根據(jù)權利要求2所述的ALD噴淋組件,其特征在于,每一所述調節(jié)腳包括固定座及調節(jié)座,所述調節(jié)座螺紋連接于所述固定座,所述調節(jié)座與所述基板連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述第一進氣件具有頂壁及由所述頂壁的邊緣向同一側延伸的側壁,所述頂壁和所述側壁圍合形成所述進氣腔以及連通所述進氣腔的所述第一出氣口,所述第一進氣孔開設于所述進氣腔的側壁,多個所述第一連通孔沿與所述蓋板平行的第二方向間隔排布,所述進氣腔的頂壁自開設所述第一進氣孔的側壁起沿所述第二方向延伸并逐漸接近所述蓋板。
5.根據(jù)權利要求1所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述第一進氣件或所述蓋板設有多個第一勻流島,多個所述第一勻流島位于所述連接空間內,且在與所述蓋板平行的第二方向上間隔排布,相鄰的兩個所述第一勻流島之間形成連通所述第一勻流島相對兩側空間的第一勻流通道,且所述第一出氣口與多個所述第一連通孔分別與所述第一勻流島相對兩側的空間連通。
6.根據(jù)權利要求5所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述第一進氣件設有多個所述第一勻流島,多個所述第一勻流島位于所述上層空間內;
所述蓋板還設有多個第二勻流島,多個所述第二勻流島位于所述下層空間內,且在所述第二方向上間隔排布,相鄰的兩個所述第二勻流島之間形成連通所述第二勻流島相對兩側空間的第二勻流通道。
7.根據(jù)權利要求1所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述反應腔包括依次連通的進氣區(qū)、勻流區(qū)及反應區(qū),所述進氣區(qū)與多個所述第一連通孔連通;
所述蓋板朝向所述基板的一側或所述基板朝向所述蓋板的一側設有多個第三勻流島,多個所述第三勻流島在與所述蓋板平行的第二方向上間隔排布,且位于所述勻流區(qū),相鄰的兩個所述第三勻流島形成連通所述進氣區(qū)與所述反應區(qū)的第三勻流通道。
8.根據(jù)權利要求1所述的ALD噴淋組件,其特征在于,所述基板還開設有與所述反應腔連通的排氣通道,所述排氣通道貫穿所述基板遠離所述蓋板的另一側;
所述基板開設所述開口的一側還具有環(huán)形槽、進氣槽及出氣槽,所述環(huán)形槽與所述開口相錯開,且所述開口位于所述環(huán)形槽圍合形成的空間內;
所述反應腔包括依次連通的進氣區(qū)、勻流區(qū)、反應區(qū)及排氣區(qū),所述進氣槽分別與所述環(huán)形槽及所述進氣區(qū)連通,所述出氣槽分別與所述環(huán)形槽及所述排氣區(qū)連通,所述蓋板覆蓋所述環(huán)形槽、所述進氣槽、所述出氣槽及所述開口。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





