[發(fā)明專利]晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品、掩膜版與光刻機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110317625.0
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN113219798B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘鈣;王國峰;楊忠武
• 申請（專利權(quán)）人: 北?；菘瓢雽?dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本發(fā)明提供了一種晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品、掩膜版與光刻機(jī)，所述晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品包括多個(gè)呈點(diǎn)陣式的排列在晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品上的管芯曝光場，每一所述管芯曝光場包括多個(gè)管芯、多個(gè)第一劃片道、多個(gè)第二劃片道和至少一個(gè)精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記，所述多個(gè)管芯呈點(diǎn)陣式排列，所述第一劃片道形成在相鄰的兩行管芯之間，所述第二劃片道形成在相鄰的兩列管芯之間，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記與所述多個(gè)管芯不重疊設(shè)置，且所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記的寬度大于所述第一劃片道或第二劃片道的寬度。所述晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品通過將精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記設(shè)置在管芯占有的區(qū)域，可以在保證對準(zhǔn)的條件下，減小劃片道的寬度，進(jìn)而增加了管芯曝光場中有效管芯的數(shù)量，節(jié)約了成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品、掩膜版與光刻機(jī)。

背景技術(shù)

在Ultratech?Stepper光刻機(jī)(步進(jìn)光刻機(jī))的芯片光刻工藝之前，需要將光刻機(jī)與晶圓進(jìn)行對準(zhǔn)，其大概的對準(zhǔn)步驟為：首先，機(jī)械手把晶圓旋轉(zhuǎn)在晶圓工作臺(tái)上，并將晶圓與晶圓工作臺(tái)對準(zhǔn)，使用第一掩膜版，通過第一掩膜版上的光學(xué)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記(OpticalAlignment?Target?Mark，簡稱OAT?mark)，進(jìn)行光學(xué)對準(zhǔn)(簡稱OAT對準(zhǔn))。晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品上對應(yīng)位置為光學(xué)對準(zhǔn)場(OAT場)，一個(gè)晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品上的OAT場通常有兩個(gè)甚至更多。在光刻機(jī)的校準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)行OAT對準(zhǔn)后，進(jìn)行X(X坐標(biāo)參數(shù))/Y(Y坐標(biāo)參數(shù))/θ(X和Y方向之間的夾角參數(shù))的粗校正。之后，步進(jìn)光刻機(jī)移動(dòng)到預(yù)設(shè)的第一個(gè)管芯曝光場的位置，使用第二掩膜版，通過第二掩膜版上的精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記(AK?mark)進(jìn)行精對準(zhǔn)，對準(zhǔn)后，進(jìn)行X/Y/θ的精校正。之后，對當(dāng)前管芯曝光場進(jìn)行曝光操作，并步進(jìn)移至下一個(gè)管芯曝光場，重新進(jìn)行精對準(zhǔn)(AK對準(zhǔn))。

AK標(biāo)記(精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記)通常是尺寸為0.2*0.2mm寬4um的十字標(biāo)記，這就代表在劃片道60um或更小時(shí)是無法放置下對位標(biāo)記，要在劃片道內(nèi)放下對位標(biāo)識(shí)需要增大劃片道到200um。

上述現(xiàn)有技術(shù)中的管芯布局結(jié)構(gòu)雖然能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓與掩膜版的對準(zhǔn)，但由于其需要增大劃片道的寬度，從而造成了晶圓面積的浪費(fèi)，造成了生成的管芯數(shù)量的減少，增加了成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品通過將精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記設(shè)置在管芯占有的區(qū)域，可以在保證對準(zhǔn)的條件下，減小劃片道的寬度，進(jìn)而增加了曝光場中有效管芯的數(shù)量，節(jié)約了成本。

根據(jù)本發(fā)明的晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品包括多個(gè)呈點(diǎn)陣式的排列在晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品上的管芯曝光場，每一所述管芯曝光場包括多個(gè)管芯、多個(gè)第一劃片道、多個(gè)第二劃片道和至少一個(gè)精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記，所述多個(gè)管芯呈點(diǎn)陣式排列，所述第一劃片道形成在相鄰的兩行管芯之間，所述第二劃片道形成在相鄰的兩列管芯之間，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記與所述多個(gè)管芯不重疊設(shè)置，且所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記的寬度大于所述第一劃片道或第二劃片道的寬度。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述的晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

所述管芯曝光場還包括至少一條對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道，所述對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道設(shè)置在至少兩行或兩列相鄰的管芯之間；其中，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記設(shè)置在所述對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道內(nèi)，所述對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道的寬度大于所述第一劃片道和/或所述第二劃片道的寬度。

所述對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道僅為一條，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記設(shè)置有至少一對，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記之間均不重疊設(shè)置，至少一對所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記成一排或一列設(shè)置在所述一條對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道內(nèi)；所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記與所述對準(zhǔn)標(biāo)記劃片道的寬度一致。

所述管芯曝光場還包括至少一個(gè)虛擬管芯，所述虛擬管芯與所述管芯曝光場的管芯的大小相同，所述虛擬管芯與所述管芯曝光場中的多個(gè)管芯一起呈矩陣排布，相鄰的兩列或兩行管芯之間的間距相等；所述虛擬管芯處不設(shè)置管芯，所述精細(xì)對準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記設(shè)置在所述虛擬管芯對應(yīng)的區(qū)域。