[發明專利]晶圓半導體產品、掩膜版與光刻機

有效

• 申請號: 202110317625.0
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN113219798B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 潘鈣;王國峰;楊忠武
• 申請（專利權）人: 北海惠科半導體科技有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種晶圓半導體產品，包括多個呈點陣式的排列在晶圓半導體產品上的管芯曝光場，其特征在于，每一所述管芯曝光場包括：

多個管芯，呈點陣式排列；

多個第一劃片道，形成在相鄰的兩行管芯之間；

多個第二劃片道，形成在相鄰的兩列管芯之間；

至少一個精細對準目標標記，所述精細對準目標標記與所述多個管芯不重疊設置；以及

至少一條對準標記劃片道，所述對準標記劃片道設置在至少兩行或兩列相鄰的管芯之間；

其中，所述精細對準目標標記的寬度大于所述第一劃片道或第二劃片道的寬度，所述精細對準目標標記設置在所述對準標記劃片道內，所述對準標記劃片道的寬度大于所述第一劃片道和/或所述第二劃片道的寬度。

2.如權利要求1所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述對準標記劃片道僅為一條，所述精細對準目標標記設置有至少一對，所述精細對準目標標記之間均不重疊設置，至少一對所述精細對準目標標記成一排或一列設置在所述一條對準標記劃片道內；所述精細對準目標標記與所述對準標記劃片道的寬度一致。

3.如權利要求1所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述管芯曝光場還包括至少一個虛擬管芯，所述虛擬管芯與所述管芯曝光場的管芯的大小相同，所述虛擬管芯與所述管芯曝光場中的多個管芯一起呈矩陣排布，相鄰的兩列或兩行管芯之間的間距相等；

所述虛擬管芯處不設置管芯，所述精細對準目標標記設置在所述虛擬管芯對應的區域。

4.如權利要求3所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述精細對準目標標記設置在所述虛擬管芯對應的區域與所述虛擬管芯鄰接的第一劃片道或第二劃片道的區域內。

5.如權利要求3所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述虛擬管芯為2個，每個所述虛擬管芯所對應的區域至少設有一個所述精細對準目標標記，所述兩個虛擬管芯以及對應的精細對準目標標記，沿所述晶圓半導體產品的中心軸對稱設置。

6.如權利要求3所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述虛擬管芯位于所述晶圓半導體產品的邊緣，且所述虛擬管芯的一部分外露出所述晶圓半導體產品，所述精細對準目標標記形成在所述晶圓半導體產品上。

7.如權利要求1-6任意一項所述的一種晶圓半導體產品，其特征在于，所述晶圓半導體產品還包括光學對準場，所述光學對準場設置在所述晶圓半導體產品上除所述管芯曝光場以外的區域，所述光學對準場包括至少一個光學對準目標標記，所述光學對準目標標記的對位精度低于所述精細對準目標標記的對位精度。

8.一種掩膜版，用于如權利要求1-7任意一項所述晶圓半導體產品的制作，其特征在于，所述掩膜版包括：

光學對準目標標記曝光圖案，用于曝光形成在晶圓半導體產品上的光學對準場的光學對準目標標記；

精細對準目標標記曝光圖案，用于曝光形成在晶圓半導體產品上的管芯曝光場中的精細對準目標標記；以及

多個管芯曝光圖案，用于曝光形成在晶圓半導體產品上的管芯曝光場的多個管芯；

其中，所述光學對準目標標記曝光圖案、所述精細對準目標標記曝光圖案、以及所述多個管芯曝光圖案之間均不重疊設置；所述光學對準目標標記圖案的對位精度低于所述精細對準目標標記圖案的對位精度，且所述精細對準目標標記曝光圖案的寬度大于相鄰兩個所述管芯曝光圖案之間的間距。

9.一種光刻機，其特征在于，包括：

第一掩膜版，用于形成所述晶圓半導體產品的光學對準場；

如權利要求8所述的掩膜版作為第二掩膜版，用于形成所述晶圓半導體產品的管芯曝光場；

對準校正系統，根據所述第一掩膜版或第二掩膜版進行對準校正；以及

曝光系統，使用所述第一掩膜版或第二掩膜版進行曝光。