[發(fā)明專利]二硫化鉬納米片@硫化鈷納米顆粒陣列電極的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110315443.X | 申請(qǐng)日： | 2021-03-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113061928B | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃妞;邵梅芳;楊柳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三峽大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25B11/054 | 分類號(hào)： | C25B11/054;C25B11/091;C25B1/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務(wù)所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443002 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二硫化鉬 納米 硫化 顆粒 陣列 電極 制備 方法 | ||
1.一種二硫化鉬納米片@硫化鈷納米顆粒原位陣列電極的制備方法，其特征在于，具體制備方法為：
（1）在基底表面水熱生長(zhǎng)二硫化鉬，獲得二硫化鉬納米片陣列電極；
（2）將鈷鹽溶于揮發(fā)非水溶劑，并涂布到二硫化鉬納米片陣列電極表面，干燥待用；
（3）再將第（2）步樣品放在硫源與氮源氣氛中進(jìn)行硫化鈷納米顆粒的CVD沉積，所述的硫源與氮源以Ar氣或N2氣為載氣運(yùn)載傳輸至第（2）步樣品表面，所述的硫源為硫粉，所述的氮源為NH4Cl或雙氰胺，硫源與氮源的質(zhì)量比為1：0.1~0.3，經(jīng)500~600℃燒結(jié)1~3 h，隨爐冷卻取出即可得到二硫化鉬納米片@硫化鈷納米顆粒原位陣列電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的二硫化鉬納米片@硫化鈷納米顆粒原位陣列電極的制備方法，其特征在于，所述的揮發(fā)非水溶劑包括：乙醇、N, N-二甲基甲酰胺、或甲酰胺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的二硫化鉬納米片@硫化鈷納米顆粒原位陣列電極的制備方法，其特征在于，所述的鈷鹽包括氯化鈷、乙酸鈷、硫酸鈷、硝酸鈷中的一種或混合，鈷鹽中鈷元素的濃度為300~1500 mM。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三峽大學(xué)，未經(jīng)三峽大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110315443.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
