[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝的測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110314779.4
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN113078079B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳昌洙;金寶炫
• 申請（專利權(quán)）人: TSE有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;張敬強(qiáng)

1.一種半導(dǎo)體封裝的測試裝置，涉及一種用于測試層疊封裝類型(POP)的半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

包括：

下部測試座，安裝在提供測試信號(hào)的測試器板，并具有多個(gè)測試座探針，該測試座探針與下部封裝的下部端子聯(lián)接而將所述下部封裝與所述測試器板電連接；

推送器，結(jié)合上部封裝，并具有以接近所述下部測試座側(cè)或遠(yuǎn)離所述下部測試座的方式移動(dòng)的推送器主體；

上部測試座，具有：絕緣墊和多個(gè)導(dǎo)電部，其中，所述絕緣墊，由非彈性絕緣材料構(gòu)成，并與所述推送器主體結(jié)合；所述多個(gè)導(dǎo)電部，支撐在所述絕緣墊上，并以在彈性絕緣物質(zhì)內(nèi)包含多個(gè)導(dǎo)電粒子的形式構(gòu)成，以使所述導(dǎo)電部的一端與所述上部封裝的上部封裝端子接觸，另一端與所述下部封裝的上部端子聯(lián)接；及

吸附墊，具有接收通過所述推送器提供的真空壓的吸入孔，與所述絕緣墊結(jié)合，以吸附所述下部封裝，

所述吸附墊以可移動(dòng)的方式配置于在所述絕緣墊設(shè)置的絕緣墊孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電部包括：

導(dǎo)電部凸塊，從所述絕緣墊的下面突出，以壓縮所述下部封裝的上部端子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

包括：

壓縮控制墊片，附著在所述絕緣墊的下面，在各個(gè)所述導(dǎo)電部凸塊的下端部形成圍繞所述導(dǎo)電部凸塊的下端部的貫通孔，并在所述貫通孔和所述導(dǎo)電部凸塊的下端部之間形成空間部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

所述貫通孔的所述空間部的體積在大于所述導(dǎo)電部凸塊的上端部的體積的0.2倍且小于所述導(dǎo)電部凸塊的上端部的體積的1.2倍的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

在所述上部封裝端子的表面涂覆防氧化金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

在所述上部封裝和上部測試座之間插入PCB連接件，所述PCB連接件在形成導(dǎo)電通道的導(dǎo)通孔的上面和下面分別設(shè)置涂覆防氧化金屬的墊，在形成于所述上面的墊接觸所述上部封裝的上部封裝端子，在形成于所述下面的墊接觸所述上部測試座的所述導(dǎo)電部。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

所述防氧化金屬為金、鈀、銠、鈷或其中兩種以上的合金金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

所述推送器包括：

腔體，配置在所述推送器主體，以使向外部開放而用于容納所述上部封裝，

所述上部測試座與所述推送器主體結(jié)合而密封所述腔體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

包括：

引導(dǎo)外殼，具有容納所述下部封裝的容納槽，并配置在所述下部測試座的上側(cè)，

所述推送器包括：

卡臺(tái)，以限制接近所述下部測試座側(cè)的所述推送器主體的移動(dòng)距離的方式設(shè)置在所述推送器主體而與所述引導(dǎo)外殼接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

包括：

引導(dǎo)外殼，具有容納所述下部封裝的容納槽，并配置在所述下部測試座的上側(cè)，

在所述推送器主體和所述引導(dǎo)外殼中的任一個(gè)設(shè)置排列孔，在另一個(gè)設(shè)置插入于所述排列孔的排列銷，以使排列接近所述下部測試座側(cè)的所述推送器主體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

所述推送器包含：

緩沖單元，與所述推送器主體結(jié)合，以緩沖所述推送器主體從驅(qū)動(dòng)部獲得的壓力而限制所述上部測試座施加至所述下部封裝的荷重。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝的測試裝置，其特征在于，

包括：

支撐薄膜，具有供插入所述上部封裝的上部封裝端子的多個(gè)薄膜孔，并介于所述上部封裝和所述上部測試座之間而分隔所述上部封裝和所述上部測試座。