[發(fā)明專利]閃存存儲(chǔ)器的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110313042.0
• 申請(qǐng)日: 2021-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN112908859A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付博;曹啟鵬;王卉;曹子貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L27/11521;H01L29/788
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發(fā)明提供一種閃存存儲(chǔ)器的制造方法，通過減薄側(cè)墻材料層的厚度，能夠增大側(cè)墻材料層中的第二開口的開口尺寸，如此，可以增大后續(xù)刻蝕所述側(cè)墻材料層的工藝窗口，使得在刻蝕所述側(cè)墻材料層以形成側(cè)墻層后，能夠暴露出部分所述控制柵材料層，由此避免了側(cè)墻層阻擋后續(xù)刻蝕控制柵材料層，從而在后續(xù)刻蝕所述控制柵材料層時(shí)，能夠分?jǐn)嗨隹刂茤挪牧蠈樱⒗梅謹(jǐn)嗟乃隹刂茤挪牧蠈訕?gòu)成控制柵層，進(jìn)而可以解決由于側(cè)墻層阻擋刻蝕控制柵材料層而引起的閃存存儲(chǔ)器中的控制柵短路的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種閃存存儲(chǔ)器的制造方法。

背景技術(shù)

在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)器在集成電路產(chǎn)品中占了相當(dāng)大的比例，存儲(chǔ)器中的閃存存儲(chǔ)器的發(fā)展尤為迅速。它的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息，具有集成度高、較快的存取速度和易于擦除等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中的閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，閃存存儲(chǔ)器的制造過程具體如下：首先，提供半導(dǎo)體襯底1，在所述半導(dǎo)體襯底1上依次形成浮柵材料層2、控制柵材料層3和掩膜層4。然后，刻蝕所述掩膜層4，以在所述掩膜層4中形成開口。接著，沿著所述開口的側(cè)壁和底壁沉積側(cè)墻材料層。接著，執(zhí)行第一次刻蝕，刻蝕所述開口中的側(cè)墻材料層以形成側(cè)墻層5。接著，執(zhí)行第二次刻蝕，刻蝕所述開口中的控制柵材料層3，以形成控制柵層。但在上述步驟中，由于閃存器件的尺寸限制，掩膜層4中的開口的尺寸較小，沿著開口的側(cè)壁和底壁沉積側(cè)墻材料層時(shí)，位于所述開口相對(duì)側(cè)壁上的側(cè)墻材料層之間的距離較小，使得后續(xù)執(zhí)行第一次刻蝕時(shí)的刻蝕窗口較小，因此在執(zhí)行第一次刻蝕以形成側(cè)墻層后，側(cè)墻層仍覆蓋所述控制柵材料層3(部分厚度的側(cè)墻材料層殘留于控制柵材料層3表面)，即所述開口中無(wú)法暴露出控制柵材料層3，在后續(xù)刻蝕控制柵材料層3時(shí)，位于控制柵材料層3表面的側(cè)墻層會(huì)阻擋刻蝕，由此導(dǎo)致控制柵材料層3無(wú)法被分?jǐn)啵鐖D1虛線框6所示，由于控制柵材料層3無(wú)法被分?jǐn)啵瑥亩鸷罄m(xù)形成的閃存存儲(chǔ)器中的控制柵出現(xiàn)短路的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種閃存存儲(chǔ)器的制造方法，以解決控制柵短路的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種閃存存儲(chǔ)器的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有控制柵材料層和掩膜層；

在所述掩膜層中形成第一開口，所述第一開口暴露出所述控制柵材料層；

在所述第一開口中填充側(cè)墻材料層，所述側(cè)墻材料層覆蓋所述第一開口的側(cè)壁和底壁，并且填充所述第一開口的側(cè)墻材料層具有凹陷以界定出第二開口；

減薄所述側(cè)墻材料層的厚度，以增大所述第二開口的開口尺寸；

刻蝕所述側(cè)墻材料層以進(jìn)一步減薄所述側(cè)墻材料層的厚度，并去除位于所述第一開口底部的所述側(cè)墻材料層以形成側(cè)墻層，并暴露出部分所述控制柵材料層；以及，

以所述側(cè)墻層為掩膜刻蝕暴露出的所述控制柵材料層，以分?jǐn)嗨隹刂茤挪牧蠈樱⒗梅謹(jǐn)嗟乃隹刂茤挪牧蠈訕?gòu)成控制柵層。

可選的，在所述的閃存存儲(chǔ)器的制造方法中，所述側(cè)墻層的材質(zhì)包括氧化硅。

可選的，在所述的閃存存儲(chǔ)器的制造方法中，減薄所述側(cè)墻材料層的厚度的方法包括：

利用干法刻蝕工藝去除部分厚度的所述側(cè)墻材料層，以減薄所述側(cè)墻材料層的厚度。

可選的，在所述的閃存存儲(chǔ)器的制造方法中，在減薄所述側(cè)墻材料層的厚度時(shí)，采用的刻蝕氣體為氟氣、氬氣、氧氣、二氧化硫、溴化氫和氟化碳中的至少一種。

可選的，在所述的閃存存儲(chǔ)器的制造方法中，在所述第一開口中填充側(cè)墻材料層之后，在減薄所述側(cè)墻材料層的厚度之前，還包括：

測(cè)量所述側(cè)墻材料層的厚度；