[發明專利]閃存存儲器的制造方法

在審

• 申請號: 202110313042.0
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN112908859A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 付博;曹啟鵬;王卉;曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/11521;H01L29/788
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種閃存存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有控制柵材料層和掩膜層；

在所述掩膜層中形成第一開口，所述第一開口暴露出所述控制柵材料層；

在所述第一開口中填充側墻材料層，所述側墻材料層覆蓋所述第一開口的側壁和底壁，并且填充所述第一開口的側墻材料層具有凹陷以界定出第二開口；

減薄所述側墻材料層的厚度，以增大所述第二開口的開口尺寸；

刻蝕所述側墻材料層以進一步減薄所述側墻材料層的厚度，并去除位于所述第一開口底部的所述側墻材料層以形成側墻層，并暴露出部分所述控制柵材料層；以及，

以所述側墻層為掩膜刻蝕暴露出的所述控制柵材料層，以分斷所述控制柵材料層，并利用分斷的所述控制柵材料層構成控制柵層。

2.如權利要求1所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述側墻層的材質包括氧化硅。

3.如權利要求1所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，減薄所述側墻材料層的厚度的方法包括：

利用干法刻蝕工藝去除部分厚度的所述側墻材料層，以減薄所述側墻材料層的厚度。

4.如權利要求3所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，在減薄所述側墻材料層的厚度時，采用的刻蝕氣體為氟氣、氬氣、氧氣、二氧化硫、溴化氫和氟化碳中的至少一種。

5.如權利要求1所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，在所述第一開口中填充側墻材料層之后，在減薄所述側墻材料層的厚度之前，還包括：

測量所述側墻材料層的厚度；

比較所述側墻材料層的厚度與目標厚度的大小。

6.如權利要求5所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，刻蝕所述側墻材料層以形成側墻層的方法包括：

根據比較的所述側墻材料層的厚度與目標厚度的大小的比較結果，以及減薄的所述側墻材料層的厚度，預設刻蝕所述側墻材料層時所需的刻蝕時間；

根據預設的所述側墻材料層所需的刻蝕時間，對所述側墻材料層執行濕法刻蝕工藝，直至去除位于所述第一開口底部的所述側墻材料層，并使位于所述第一開口側壁上的所述側墻材料層的厚度減至所述目標厚度，以形成所述側墻層，并暴露出部分所述控制柵材料層，其中，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為稀釋的氫氟酸溶液。

7.如權利要求1所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，在形成控制柵材料層之前，所述閃存存儲器的制造方法還包括：

形成浮柵結構層，所述浮柵結構層覆蓋所述半導體襯底表面；

形成淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構貫穿所述浮柵結構層并延伸至所述半導體襯底中；以及，

形成介質材料層，所述介質材料層覆蓋所述浮柵結構層及所述淺溝槽隔離結構，所述控制柵材料層覆蓋所述介質材料層。

8.如權利要求7所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述介質材料層的材質包括氧化硅和/或氮化硅。

9.如權利要求8所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述控制柵層中具有第三開口，所述第三開口與所述第二開口連通，并暴露出部分所述介質材料層；

以及，在刻蝕暴露出的所述控制柵材料層之后，還刻蝕暴露出的所述介質材料層，以形成介質層。

10.如權利要求1所述的閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的材質為氮化硅和/或氮氧化硅。