[發明專利]控片控制方法及裝置、控片測試方法、介質和設備

在審

• 申請號: 202110312426.0
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN115132605A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 陳三城
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G05B19/418
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開是關于一種控片控制方法和裝置、控片測試方法、計算機可讀存儲介質及電子設備，涉及半導體設備技術領域。該控片控制方法包括：為多個所述反應腔室設定不同的標識號；根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號；根據所述控片的槽位號和所述反應腔室的標識號分配所述控片。本公開提供一種在機臺設備中自動設定并分配控件的方法。該方法不僅節省了人力和時間，還減少了人為操作帶來的出錯率，提高了分配的效率。

技術領域

本公開涉及半導體設備技術領域，具體而言，涉及一種控片控制方法及裝置、控片測試方法、計算機可讀存儲介質及電子設備。

背景技術

在半導體晶圓的制程中，通常需要給半導體處理機臺設備配備多個控片(ControlWafer)，并通過對控片進行相應的半導體處理，根據控片進行處理后的檢測結果，來監測半導體處理機臺設備的穩定性以及確定通過該半導體處理機臺設備生產出來的產品是否在制程規格內等。

對于一個半導體處理機臺設備而言，往往包含有多個反應腔室，每個反應腔室通常需要配備不同的控片進行半導體處理，從而可以實現對每個反應腔室的監控管理。

然而，對于用于不同反應腔室的控片的分配，現有主要是采用手動設定并記錄的分配方式，不僅耗費人力和時間，而且容易出錯影響檢測結果。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于提供一種控片控制方法及裝置、控片測試方法、計算機可讀存儲介質及電子設備，以解決手動設定并分配控片時，導致的耗費人力和時間的問題。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本發明的實踐而習得。

根據本公開的第一方面，提供一種控片控制方法，用于具有多個反應腔室的機臺設備，所述方法包括：

為多個所述反應腔室設定不同的標識號；

根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號；

根據所述控片的槽位號和所述反應腔室的標識號分配所述控片。

可選的，根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號包括：

在所述反應腔室需要指定所述控片的情況下，將所述控片的槽位號設定為需要指定的所述反應腔室的標識號；

在所述反應腔室不需要指定所述控片的情況下，將所述控片的槽位號設定為不需要指定的所述反應腔室的標識號之和。

可選的，根據所述槽位號和所述標識號分配所述控片包括：

如果某一所述控片的槽位號等于其中一個所述反應腔室的標識號，則將所述控片分配給該所述反應腔室；

如果所述控片的槽位號等于多個所述反應腔室的標識號之和，則將所述控片分配給該多個所述反應腔室之一。

可選的，其中任意多個所述反應腔室的標識號相加，不等于其余任一所述反應腔室的標識號。

可選的，其中任意多個所述反應腔室的標識號相加，不等于其余任意數量的所述反應腔室的標識號之和。

可選的，所述方法還包括：

根據控片狀態，從多個所述控片中確定所述預設指定控片，或手動確定所述預設指定控片，所述預設指定控片用于分配給需要指定的所述反應腔室；所述控片狀態包括控片的厚度、彎曲度、表面微塵數量、污染等級或使用次數中的至少一種。

可選的，所述方法還包括：