[發明專利]控片控制方法及裝置、控片測試方法、介質和設備在審
| 申請號: | 202110312426.0 | 申請日: | 2021-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN115132605A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 陳三城 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G05B19/418 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 方法 裝置 測試 介質 設備 | ||
1.一種控片控制方法,用于具有多個反應腔室的機臺設備,其特征在于,所述方法包括:
為多個所述反應腔室設定不同的標識號;
根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號;
根據所述控片的槽位號和所述反應腔室的標識號分配所述控片。
2.根據權利要求1所述的控片控制方法,其特征在于,根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號包括:
在所述反應腔室需要指定所述控片的情況下,將所述控片的槽位號設定為需要指定的所述反應腔室的標識號;
在所述反應腔室不需要指定所述控片的情況下,將所述控片的槽位號設定為不需要指定的所述反應腔室的標識號之和。
3.根據權利要求2所述的控片控制方法,其特征在于,根據所述槽位號和所述標識號分配所述控片包括:
如果所述控片的槽位號等于其中一個所述反應腔室的標識號,則將所述控片分配給該所述反應腔室;
如果所述控片的槽位號等于多個所述反應腔室的標識號之和,則將所述控片分配給該多個所述反應腔室之一。
4.根據權利要求1-3任一項所述的控片控制方法,其特征在于,其中任意多個所述反應腔室的標識號相加,不等于其余任一所述反應腔室的標識號。
5.根據權利要求4所述的控片控制方法,其特征在于,其中任意多個所述反應腔室的標識號相加,不等于其余任意數量的所述反應腔室的標識號之和。
6.根據權利要求2所述的控片控制方法,其特征在于,所述方法還包括:
根據控片狀態,從多個所述控片中確定預設指定控片,或手動確定所述預設指定控片,所述預設指定控片用于分配給需要指定的所述反應腔室;所述控片狀態包括控片的厚度、彎曲度、表面微塵數量、污染等級或使用次數中的至少一種。
7.根據權利要求6所述的控片控制方法,其特征在于,所述方法還包括:
如果所述控片的控片狀態超出預設限制,則標記所述控片,并更換所述控片;所述預設限制包括控片的厚度范圍、彎曲度范圍、表面微塵數量范圍、污染等級范圍或使用次數范圍的至少一種。
8.一種控片控制裝置,用于具有多個反應腔室的機臺設備,其特征在于,所述裝置包括:
標識號設定模塊,用于為多個所述反應腔室設定不同的標識號;
槽位號確定模塊,用于根據所述反應腔室的標識號確定控片的槽位號;
控片分配模塊,用于根據所述控片的槽位號和所述反應腔室的標識號分配所述控片。
9.根據權利要求8所述的控片控制裝置,其特征在于,所述槽位號確定模塊包括:
計算子模塊,用于在所述反應腔室需要指定所述控片的情況下,將所述控片的槽位號設定為需要指定的所述反應腔室的標識號;在所述反應腔室不需要指定所述控片的情況下,將所述控片的槽位號設定為不需要指定的所述反應腔室的標識號之和。
10.根據權利要求9所述的控片控制裝置,其特征在于,所述控片分配模塊用于,如果所述控片的槽位號等于其中一個所述反應腔室的標識號,則將所述控片分配給該所述反應腔室;如果所述控片的槽位號等于多個所述反應腔室的標識號之和,則將所述控片分配給該多個所述反應腔室之一。
11.根據權利要求9所述的控片控制裝置,其特征在于,所述裝置還包括:
預設指定控片確定模塊,用于根據控片狀態,從多個所述控片中確定預設指定控片,或手動確定所述預設指定控片,所述預設指定控片用于分配給需要指定的所述反應腔室;所述控片狀態包括控片的厚度、彎曲度、表面微塵數量、污染等級或使用次數中的至少一種。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





