[發明專利]引線框架及其制作方法

有效

• 申請號: 202110310254.3
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113113319B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 謝重教;張禮冠;揭海歡
• 申請（專利權）人: 江西新菲新材料有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 廣州德科知識產權代理有限公司 44381
• 代理人: 林玉旋;萬振雄

一種引線框架及其制作方法，制作方法包括：在承載膜上形成第一犧牲層，圖案化第一犧牲層，以形成引腳凹槽；向引腳凹槽填充導電材料，以形成引腳；去除所述第一犧牲層并在所述第一犧牲層原先的位置形成絕緣層；在絕緣層上形成底座，底座與引腳間隔設置，底座用于承載芯片，引腳通過引線與芯片電連接。通過在承載膜上做加法工藝，由于無需蝕刻、無需加強筋的連接以及無需沖切，能夠有效避免蝕刻和沖切導致的缺陷，以及具有更高的集成程度和排版利用率，可以制作數量更多的多排引腳以及適用于更薄的設計以及多腳位IC封裝。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種引線框架及其制作方法。

背景技術

引線框架(Lead frame)作為集成電路的芯片載體，是一種借助鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。

引線框架的傳統制造工藝采用減法的半蝕刻技術：取銅卷材，在銅卷材進行雙面壓膜，依次進行曝光、顯影和蝕刻，經過蝕刻或者半蝕刻制作出引線框架圖形，再通過沖切形成一個個引線框架。

傳統方案具有以下弊端：

1、制程流程復雜，且材料浪費較為嚴重；

2、蝕刻出來的是四周單排引腳，I/O通道少，而且面積大，集成程度低；

3、通過蝕刻把銅材黏連處斷裂，因蝕刻制程不穩定，不容易蝕刻斷，線路不平整；

4、通過沖切分離引線框架，容易產生毛刺、披鋒及損傷，可靠性較差；

5、半蝕刻工藝不適應用于超薄設計、多腳位IC封裝；

6、需要有加強筋的連接，排版利用率低。

發明內容

本發明的目的是提供一種引線框架及其制作方法，能夠克服傳統方案的上述弊端的至少其中之一。

為實現本發明的目的，本發明提供了如下的技術方案：

第一方面，本發明提供了一種引線框架的制作方法，制作方法包括：在承載膜上形成第一犧牲層，圖案化所述第一犧牲層，以形成引腳凹槽；向所述引腳凹槽填充導電材料，以形成引腳；去除所述第一犧牲層并在所述第一犧牲層原先的位置形成絕緣層；在所述絕緣層上形成底座，所述底座與所述引腳間隔設置，所述底座用于承載芯片，所述引腳通過引線與所述芯片電連接。

通過在承載膜上做加法工藝，由于無需蝕刻，制程較為簡單，以及能夠節約材料，且引腳的形成不受空間限制，能夠制作出數量更多的多排引腳、更多I/O通道、更細的線路以及更小的芯片體積，具有更高的集成程度，能夠適用于更薄的設計以及多腳位IC封裝。同時，無需蝕刻還可避免產生穿刻、不平整、尺寸偏差等問題，線路更加平整。另外，由于無需加強筋的連接，排版利用率更高，由于無需沖切，可避免毛刺、披鋒及損傷，可靠性較高。

一種實施方式中，所述在承載膜上形成第一犧牲層，包括：在所述承載膜上形成過渡層，圖案化所述過渡層，以形成第一凹槽；在所述過渡層上形成所述第一犧牲層，在所述第一犧牲層上形成與所述第一凹槽對應的所述引腳凹槽。通過在形成第一犧牲層之前形成過渡層，以便于在第一犧牲層被絕緣層替換后，通過過渡層將承載膜剝離，同時也有利于線路的制作。

一種實施方式中，所述在所述絕緣層上形成底座之后，包括：剝離所述承載膜和所述過渡層，以使所述引腳突出于所述絕緣層背向所述底座的表面。通過剝離承載膜和過渡層，使得引腳突出于絕緣層的表面，有利于芯片通過引腳與外部導線電連接以形成電氣回路。同時，剝離承載膜和過渡層即可形成多個引線框架，從而無需傳統工藝中的沖切，能夠有效避免毛刺、披鋒及損傷，有利于提高可靠性。另外，承載膜能夠重復利用，有利于降低制作成本。