[發(fā)明專利]引線框架及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110310254.3
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113113319B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝重教;張禮冠;揭海歡
• 申請（專利權(quán)）人: 江西新菲新材料有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 廣州德科知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44381
• 代理人: 林玉旋;萬振雄

1.一種引線框架的制作方法，其特征在于，包括：

在承載膜上形成第一犧牲層，圖案化所述第一犧牲層，以形成引腳凹槽；

向所述引腳凹槽填充導(dǎo)電材料，以形成引腳；

去除所述第一犧牲層并在所述第一犧牲層原先的位置形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成底座，所述底座與所述引腳間隔設(shè)置，所述底座用于承載芯片，所述引腳通過引線與所述芯片電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在承載膜上形成第一犧牲層，包括：

在所述承載膜上形成過渡層，圖案化所述過渡層，以形成第一凹槽；

在所述過渡層上形成所述第一犧牲層，在所述第一犧牲層上形成與所述第一凹槽對應(yīng)的所述引腳凹槽。

3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一犧牲層為正性光刻膠，所述過渡層為負(fù)性光刻膠；或，所述第一犧牲層為負(fù)性光刻膠，所述過渡層為正性光刻膠。

4.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一犧牲層和所述過渡層曝光所需的光照強(qiáng)度和光照時間不同，和/或，所述第一犧牲層和所述過渡層顯影所需的顯影液濃度和顯影時間不同。

5.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成所述底座之后，包括：

剝離所述承載膜和所述過渡層，以使所述引腳突出于所述絕緣層背向所述底座的表面。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，使用去除所述第一犧牲層并在所述第一犧牲層原先的位置形成絕緣層，包括：

通過剝膜去掉所述第一犧牲層；

在原來的所述第一犧牲層的位置填充絕緣材料，以形成包圍所述引腳的所述絕緣層。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成所述底座的同時，包括：

在所述引腳上形成電極，所述引腳通過所述電極與所述引線連接。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成所述底座，包括：

在所述絕緣層上形成第二犧牲層，圖案化所述第二犧牲層，以形成第二凹槽；

向所述第二凹槽填充導(dǎo)電材料，以形成所述底座。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述絕緣層上形成封裝層，并使所述封裝層覆蓋所述底座和所述引腳。

10.一種引線框架，其特征在于，所述引線框架采用如權(quán)利要求1-9中任一項所述的制作方法制成。