[發(fā)明專利]芯片電壓調(diào)節(jié)方法、性能測(cè)試方法、裝置及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110309417.6
• 申請(qǐng)日: 2021-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113031752A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/3296
• 分類號(hào): G06F1/3296
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;曹娜

1.一種芯片電壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，包括：

獲取芯片內(nèi)存儲(chǔ)的性能測(cè)試結(jié)果，所述性能測(cè)試結(jié)果包括：所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)，以及達(dá)到目標(biāo)工作頻率的最低安全運(yùn)行電壓；

根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果，調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果，調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓，包括：

按照所述最低安全運(yùn)行電壓為所述芯片供電；

在所述芯片不能達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率的情況下，根據(jù)所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述芯片不能達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率的情況下，根據(jù)所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓，包括：

在所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)指示的運(yùn)行速度小于第一閾值時(shí)，控制所述芯片的供電電壓在所述最低安全運(yùn)行電壓的基礎(chǔ)上增大，直至所述芯片達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率；

在所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)指示的運(yùn)行速度大于或者等于第一閾值時(shí)，控制所述芯片的供電電壓在所述最低安全運(yùn)行電壓的基礎(chǔ)上減小，直至所述芯片達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲取芯片的工作參數(shù)，所述工作參數(shù)包括：芯片使用時(shí)長(zhǎng)和/或芯片工作溫度；

所述根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果，調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓，包括：

在所述工作參數(shù)的數(shù)值大于或者等于第二閾值的情況下，調(diào)整所述芯片的供電電壓至第一電壓，所述第一電壓大于所述最低安全運(yùn)行電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果，調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓，包括：

在所述目標(biāo)工作頻率由第一頻率變化至第二頻率的情況下，控制所述芯片的供電電壓在所述最低安全運(yùn)行電壓的基礎(chǔ)上增大，直至所述芯片的工作頻率達(dá)到所述第二頻率；

其中，所述第二頻率大于所述第一頻率。

6.一種芯片性能測(cè)試方法，其特征在于，包括：

對(duì)芯片進(jìn)行性能測(cè)試，獲得性能測(cè)試結(jié)果，所述性能測(cè)試結(jié)果包括：所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)，以及達(dá)到目標(biāo)工作頻率的最低安全運(yùn)行電壓；

將所述性能測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)至所述芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對(duì)芯片進(jìn)行性能測(cè)試，獲得性能測(cè)試結(jié)果，包括：

構(gòu)建測(cè)試向量；

根據(jù)所述測(cè)試向量對(duì)所述芯片進(jìn)行速度測(cè)試，獲得所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)；

按照所述芯片的目標(biāo)工作頻率對(duì)所述芯片進(jìn)行性能測(cè)試，確定達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率時(shí)的最低安全運(yùn)行電壓。

8.一種芯片電壓調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，包括：

第一獲取模塊，用于獲取芯片內(nèi)存儲(chǔ)的性能測(cè)試結(jié)果，所述性能測(cè)試結(jié)果包括：所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)，以及達(dá)到目標(biāo)工作頻率的最低安全運(yùn)行電壓；

處理模塊，用于根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果，調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊包括：

供電單元，用于按照所述最低安全運(yùn)行電壓為所述芯片供電；

第一處理單元，用于在所述芯片不能達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率的情況下，根據(jù)所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)調(diào)節(jié)所述芯片的供電電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一處理單元具體用于：

在所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)指示的運(yùn)行速度小于第一閾值時(shí)，控制所述芯片的供電電壓在所述最低安全運(yùn)行電壓的基礎(chǔ)上增大，直至所述芯片達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率；

在所述芯片的運(yùn)行速度等級(jí)指示的運(yùn)行速度大于或者等于第一閾值時(shí)，控制所述芯片的供電電壓在所述最低安全運(yùn)行電壓的基礎(chǔ)上減小，直至所述芯片達(dá)到所述目標(biāo)工作頻率。