[發明專利]貼裝芯片結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202110309062.0
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113130331A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 王晨歌;周琪;張兵
• 申請（專利權）人: 浙江臻鐳科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

提供基板；

將待封裝芯片貼裝在所述基板上；

在所述基板上制作隔離層，所述隔離層位于所述待封裝芯片的外圍；

其中，至少所述隔離層、所述待封裝芯片以及所述基板之間形成腔體，且所述隔離層上設置有連通所述腔體與外界的氣體進口及氣體出口；

在所述氣體進口處涂底填膠材料，在所述氣體出口處施加負壓，以基于空氣壓力使所述底填膠材料流入所述待封裝芯片組件底部，形成底部填充膠；

去除所述隔離層，得到所述貼裝芯片結構。

2.根據權利要求1所述的貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述待封裝芯片的尺寸介于20×20mm～50×50mm之間。

3.根據權利要求1所述的貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述隔離層的材料包括環氧樹脂膠、熱固性膠體、熱敏性膠體及光刻膠中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述氣體出口的數量為一個，所述氣體進口的數量為至少一個。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述待封裝芯片包括至少一個填充區及至少一個空白區，其中，所述氣體進口及所述氣體出口設置在所述填充區，使得對應所述填充區形成所述底部填充膠，對應所述空白區形成間隙。

6.根據權利要求5所述的貼裝芯片結構的制備方法，其特征在于，所述填充區分布在所述待封裝芯片的外圍，所述空白區分布在所述待封裝芯片組件的內部。

7.一種貼裝芯片結構，其特征在于，所述貼裝芯片結構包括：

基板；

待封裝芯片，貼裝在所述基板上；

底部填充膠，形成在所述待封裝芯片與所述基板之間，所述底部填充膠形成在需要填充的待封裝芯片與所述所述基板的區域之間，且所述底部填充膠內部無氣泡。

8.根據權利要求7所述的貼裝芯片結構，其特征在于，所述待封裝芯片的尺寸介于20×20mm～50×50mm之間。

9.根據權利要求7或8所述的貼裝芯片結構，其特征在于，所述待封裝芯片包括至少一個填充區及至少一個空白區，其中，所述填充區的所述待封裝芯片區域與所述基板之間形成所述底部填充膠，所述空白區的所述待封裝芯片區域與所述基板之間為間隙。

10.根據權利要求9所述的貼裝芯片結構，其特征在于，所述填充區分布在所述待封裝芯片的外圍，所述空白區分布在所述待封裝芯片組件的內部。