[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202110306895.1
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113971975A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 辛在賢;高貴韓;金成焄;樸寬;李賢洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

本申請涉及存儲器裝置及其操作方法。一種存儲器裝置可包括：第一子塊和第二子塊，其各自包括多個選擇晶體管和多個存儲器單元；外圍電路，其對存儲在第一子塊中的數據執行讀操作；以及控制邏輯，其控制外圍電路使包括在第一子塊和第二子塊中的每一個中的多個選擇晶體管導通并且將讀電壓施加到多條字線當中的所選字線。

技術領域

各種實施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。

背景技術

存儲裝置被配置為響應于主機裝置(例如，計算機或智能電話)的控制存儲數據。存儲裝置可包括存儲數據的存儲器裝置以及控制存儲器裝置的存儲控制器。通常，存在兩種類型的存儲器裝置：易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。

易失性存儲器裝置只要供電就可保持數據，在沒有供電的情況下可丟失所存儲的數據。易失性存儲器裝置的示例包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)等。

非易失性存儲器裝置即使在沒有供電的情況下也不會丟失數據。非易失性存儲器裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)和閃存。

已開發出三維存儲器裝置以增加存儲器裝置的集成密度。由于三維存儲器裝置與二維存儲器裝置之間的結構差異，已研究用于驅動三維存儲器裝置的各種驅動方法。

發明內容

本公開的各種實施方式涉及一種具有改進的讀操作特性的存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。

根據實施方式，一種存儲器裝置可包括：第一子塊，其包括多個第一選擇晶體管和多個第一存儲器單元；第二子塊，其通過多條字線聯接到第一子塊并且包括多個第二選擇晶體管和多個第二存儲器單元；外圍電路，其對存儲在第一子塊或第二子塊中的數據執行讀操作；以及控制邏輯，其控制外圍電路將讀電壓施加到多條字線當中的所選字線，其中，當對第一子塊執行讀操作時，控制邏輯控制外圍電路：使多個第一選擇晶體管和多個第二選擇晶體管導通，并且使多條字線的電壓電平從第一電平增大至第二電平，當多條字線的電壓電平達到第二電平時，使多個第二選擇晶體管截止，并且使多條字線的電壓電平從第二電平增大至第三電平。

根據實施方式，提出了一種操作存儲器裝置的方法，該存儲器裝置包括第一子塊和第二子塊，第一子塊包括多個第一選擇晶體管和多個第一存儲器單元，第二子塊通過多條字線聯接到第一子塊并且包括多個第二選擇晶體管和多個第二存儲器單元，存儲器裝置對第一子塊執行讀操作，該方法可包括以下步驟：使多個第一選擇晶體管和多個第二選擇晶體管導通；使多條字線的電壓電平從第一電平增大至第二電平；使多個第二選擇晶體管截止；以及使多條字線的電壓電平從第二電平增大至第三電平。

根據實施方式，一種存儲器裝置可包括：第一子塊，其包括多個第一選擇晶體管和多個第一存儲器單元；第二子塊，其通過多條字線聯接到第一子塊并且包括多個第二選擇晶體管和多個第二存儲器單元；以及外圍電路，其對存儲在第一子塊或第二子塊中的數據執行讀操作，其中，在執行讀操作時，外圍電路使多個第一選擇晶體管和多個第二選擇晶體管導通，使多條字線的電壓電平按照包括至少兩個階梯增大的階梯式增量增大，并且當多條字線的電壓電平達到目標電壓電平時，使多個第二選擇晶體管截止。

根據實施方式，一種存儲器裝置可包括：至少一個第一選擇晶體管，其聯接到第一子塊中的第一存儲器單元串；至少一個第二選擇晶體管，其聯接到第二子塊中的第二存儲器單元串；多條字線，其分別聯接到第一串和第二串的存儲器單元；以及控制電路，其被配置為依次使第一晶體管和第二晶體管導通，使字線的電壓電平逐步增大至目標電平，使至少一個第二晶體管截止，并且使電壓電平逐步增大至設定電平以用于從第一串讀取數據。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的實施方式的存儲器系統的框圖；

圖2是示出根據本公開的實施方式的存儲器裝置的框圖；