[發(fā)明專利]存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110306895.1
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113971975A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 辛在賢;高貴韓;金成焄;樸寬;李賢洙
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：

第一子塊，該第一子塊包括多個第一選擇晶體管和多個第一存儲器單元；

第二子塊，該第二子塊通過多條字線聯(lián)接到所述第一子塊并且包括多個第二選擇晶體管和多個第二存儲器單元；

外圍電路，該外圍電路對存儲在所述第一子塊或所述第二子塊中的數(shù)據(jù)執(zhí)行讀操作；以及

控制邏輯，該控制邏輯控制所述外圍電路將讀電壓施加到所述多條字線當(dāng)中的所選字線，

其中，當(dāng)對所述第一子塊執(zhí)行所述讀操作時，所述控制邏輯控制所述外圍電路：

使所述多個第一選擇晶體管和所述多個第二選擇晶體管導(dǎo)通，

使所述多條字線的電壓電平從第一電平增大至第二電平，

當(dāng)所述多條字線的所述電壓電平達到所述第二電平時，使所述多個第二選擇晶體管截止，并且

使所述多條字線的所述電壓電平從所述第二電平增大至第三電平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，所述控制邏輯控制所述外圍電路使所述所選字線的電壓電平減小至讀電壓電平。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，所述控制邏輯控制所述外圍電路：

使所述所選字線的電壓電平從所述第三電平減小至所述第一電平，并且

使所述所選字線的所述電壓電平增大至讀電壓電平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，所述控制邏輯控制所述外圍電路將預(yù)充電電壓施加到聯(lián)接到所述第一子塊的多條位線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一電平是大于0V的電壓電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第三電平是用于使多個存儲器單元導(dǎo)通的電壓電平。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，當(dāng)所述多條字線當(dāng)中的最遠離供應(yīng)電壓的點的字線的電壓電平達到所述第二電平時，所述控制邏輯控制所述外圍電路使包括在所述第二子塊中的所述第二選擇晶體管截止。

8.一種操作存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置包括第一子塊和第二子塊，所述第一子塊包括多個第一選擇晶體管和多個第一存儲器單元，所述第二子塊通過多條字線聯(lián)接到所述第一子塊并且包括多個第二選擇晶體管和多個第二存儲器單元，所述存儲器裝置對所述第一子塊執(zhí)行讀操作，所述方法包括以下步驟：

使所述多個第一選擇晶體管和所述多個第二選擇晶體管導(dǎo)通；

使所述多條字線的電壓電平從第一電平增大至第二電平；

使所述多個第二選擇晶體管截止；以及

使所述多條字線的所述電壓電平從所述第二電平增大至第三電平。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括以下步驟：將讀電壓施加到所述多條字線當(dāng)中的所選字線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，施加所述讀電壓的步驟包括以下步驟：在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，使所述所選字線的電壓電平減小至讀電壓電平。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，施加所述讀電壓的步驟包括以下步驟：

在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，使所述所選字線的電壓電平減小至所述第一電平；以及

在使所述所選字線的所述電壓電平減小至所述第一電平之后，使所述所選字線的所述電壓電平增大至讀電壓電平。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括以下步驟：在使所述多條字線的所述電壓電平增大至所述第三電平之后，將預(yù)充電電壓施加到聯(lián)接到所述第一子塊的多條位線。