[發明專利]顯示面板的制造方法、顯示面板以及待切割顯示面板有效
| 申請號: | 202110304206.3 | 申請日: | 2021-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN113066803B | 公開(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發明(設計)人: | 王海濤;王明;成軍;周斌;汪軍;黃勇潮;蘇同上;王慶賀 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 以及 切割 | ||
1.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板上形成第一靜電保護電路以及源漏導電圖案,所述襯底基板具有目標切割區域,所述目標切割區域與所述第一靜電保護電路在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域,所述目標切割區域與所述源漏導電圖案在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域;
去除位于所述目標切割區域中的源漏導電圖案;
在所述襯底基板上形成上層結構,以形成待切割顯示面板;
在所述目標切割區域對所述待切割顯示面板進行切割;
所述襯底基板具有顯示區域以及位于顯示區域外圍的外圍區域,所述去除位于目標切割區域中的源漏導電圖案,包括:
去除所述源漏導電圖案位于第一交疊區域中的圖案,所述第一交疊區域為所述顯示區域與所述目標切割區域的交疊區域;
通過激光去除所述源漏導電圖案位于第二交疊區域中的圖案,所述第二交疊區域為所述外圍區域與所述目標切割區域的交疊區域。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述源漏導電圖案中位于第一交疊區域中的源漏導電圖案,包括:
通過一次構圖工藝去除所述源漏導電圖案中位于所述第一交疊區域中的圖案。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述通過一次構圖工藝去除所述源漏導電圖案中位于所述第一交疊區域中的源漏導電圖案,包括:
在形成有所述源漏導電圖案的襯底基板上形成光刻膠層;
以像素電極掩膜板作為掩膜,對所述第一交疊區域進行曝光以及顯影,得到第一光刻膠圖案,所述第一光刻膠圖案在所述第一交疊區域具有開口;
以所述第一光刻膠圖案作為保護層,對所述源漏導電圖案進行刻蝕,以去除所述源漏導電圖案中位于所述第一交疊區域中的圖案;
剝離所述第一光刻膠圖案。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述源漏導電圖案包括沿第一方向排布的多條數據線,所述目標切割區域與所述多條數據線在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域,所述第一靜電保護電路位于所述多條數據線在所述第一方向上的兩側,
所述去除位于目標切割區域中的源漏導電圖案,包括:
通過一次構圖工藝去除所述多條數據線中的第一數據線位于所述目標切割區域中的部分,所述第一數據線為所述多條數據線中與所述第一靜電保護電路的最小距離大于指定值的數據線;
通過激光去除所述多條數據線中除所述第一數據線外的其它數據線位于所述目標切割區域中的部分。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述源漏導電圖案包括多條數據線,且目標切割區域與所述多條數據線在所述襯底基板上的正投影存在交疊區域,
所述去除所述源漏導電圖案中位于第一交疊區域中的源漏導電圖案,包括:
去除所述源漏導電圖案中位于第一交疊區域中的數據線。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,去除位于目標切割區域中的源漏導電圖案之前,所述方法還包括:
對所述襯底基板進行測試,得到測試數據;
基于所述測試數據,對所述襯底基板進行修復。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成第一靜電保護電路以及源漏導電圖案之前,所述方法還包括:
在襯底基板上形成第二靜電保護電路;
所述在襯底基板上形成第一靜電保護電路以及源漏導電圖案,包括:
在形成有所述第二靜電保護電路的襯底基板上形成第一絕緣層;
在所述第一絕緣層上形成第一過孔,所述第二靜電保護電路具有在所述第一過孔處露出的區域;
在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成源漏導電膜層;
通過構圖工藝將所述源漏導電膜層處理為所述第一靜電保護電路以及所述源漏導電圖案,所述第一靜電保護電路通過所述第一過孔與所述第二靜電保護電路電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





