[發(fā)明專利]3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)方法及相關(guān)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110303967.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN112927744B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉承林;宋煒哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/00
• 分類號(hào): G11C29/00
• 代理公司: 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 吳瑩

本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)方法及相關(guān)設(shè)備，用于解決目前3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)率較低的問題。其中，上述方法包括：根據(jù)芯片信息，對(duì)目標(biāo)芯片中每個(gè)單芯片的按照存儲(chǔ)器類型進(jìn)行分類，得到第一類型芯片及第二類型芯片，其中，所述目標(biāo)芯片為至少兩個(gè)所述單芯片經(jīng)過堆疊設(shè)置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每個(gè)所述單芯片中的修復(fù)資源信息及失效單元信息，所述第一類型芯片用于表征所述單芯片的存儲(chǔ)器中修復(fù)資源不足，所述第二類型芯片用于表征所述單芯片的存儲(chǔ)器中修復(fù)資源富余；通過所述第二類型芯片的剩余修復(fù)資源對(duì)所述第一類型芯片進(jìn)行修復(fù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)方法及相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)

在芯片中，DRAM存儲(chǔ)器(Dynamic random access memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)陣列，簡(jiǎn)稱DRAM)往往承擔(dān)著二級(jí)緩存以及臨時(shí)存儲(chǔ)的作用，在常規(guī)的芯片生產(chǎn)過程中，為了確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性，一般都需要對(duì)芯片中DRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行有效性測(cè)試，并基于測(cè)試結(jié)果利用修復(fù)資源進(jìn)行修復(fù)，即通過修復(fù)資源對(duì)失效單元進(jìn)行修復(fù)。

目前，常規(guī)的修復(fù)方式是利用每個(gè)芯片中內(nèi)置的修復(fù)資源對(duì)自身的失效單元進(jìn)行修復(fù)，如果能夠滿足失效單元的修復(fù)需求，則說明該芯片的存儲(chǔ)器能夠在修復(fù)后正常使用，反之，則說明該芯片的在修復(fù)后無法正常使用。而隨著芯片堆疊技術(shù)的發(fā)展，3D芯片的設(shè)計(jì)工藝也越發(fā)成熟。在3D芯片中，一般是由至少兩個(gè)單芯片進(jìn)行堆疊構(gòu)成，也就是說3D芯片中由于存在多個(gè)單芯片，也就存在與之對(duì)應(yīng)的多個(gè)DRAM存儲(chǔ)器。這樣，在利用常規(guī)的芯片修復(fù)方式對(duì)3D芯片進(jìn)行修復(fù)時(shí)，當(dāng)3D芯片中任意一芯片的修復(fù)資源不足，則認(rèn)為該3D芯片不可用，在這種情況下，常規(guī)的芯片的DRAM存儲(chǔ)器修復(fù)方式將直接因個(gè)別的單芯片自身的修復(fù)資源不足而導(dǎo)致修復(fù)失敗的情況，從而影響了整個(gè)3D芯片的修復(fù)效果，降低了修復(fù)率。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本申請(qǐng)實(shí)施例的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)方法及相關(guān)設(shè)備，以提高3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)率。

為至少部分地解決上述問題，第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種3D芯片的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，包括：

根據(jù)芯片信息，對(duì)目標(biāo)芯片中每個(gè)單芯片的按照存儲(chǔ)器類型進(jìn)行分類，得到第一類型芯片及第二類型芯片，其中，所述目標(biāo)芯片為至少兩個(gè)所述單芯片經(jīng)過堆疊設(shè)置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每個(gè)所述單芯片中的修復(fù)資源信息及失效單元信息，所述第一類型芯片用于表征所述單芯片的存儲(chǔ)器中修復(fù)資源不足，所述第二類型芯片用于表征所述單芯片的存儲(chǔ)器中修復(fù)資源富余；

通過所述第二類型芯片的剩余修復(fù)資源對(duì)所述第一類型芯片進(jìn)行修復(fù)。

可選的，所述根據(jù)芯片信息，對(duì)目標(biāo)芯片中每個(gè)單芯片的按照存儲(chǔ)器類型進(jìn)行分類，包括：

根據(jù)所述失效單元信息確定每個(gè)所述單芯片的失效單元數(shù)量，并根據(jù)所述修復(fù)資源信息確定每個(gè)所述單芯片的修復(fù)資源數(shù)量；

當(dāng)所述失效單元數(shù)量大于所述修復(fù)資源數(shù)量時(shí)，確定所述單芯片為所述第一類型芯片；

當(dāng)所述失效單元數(shù)量小于所述修復(fù)資源數(shù)量時(shí)，確定所述單芯片為所述第二類型芯片。

可選的，在所述根據(jù)芯片信息，對(duì)目標(biāo)芯片中每個(gè)單芯片的按照存儲(chǔ)器類型進(jìn)行分類之前，所述方法還包括：

通過所述芯片信息判斷所述單芯片是否執(zhí)行了初步修復(fù)操作，其中，所述初步修復(fù)操作用于利用所述單芯片的存儲(chǔ)器內(nèi)全部的修復(fù)資源對(duì)失效單元進(jìn)行修復(fù)；

所述根據(jù)芯片信息，對(duì)目標(biāo)芯片中每個(gè)單芯片的按照存儲(chǔ)器類型進(jìn)行分類，還包括：