[發明專利]一種張弛振蕩器和存儲芯片

在審

• 申請號: 202110303955.4
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN113054950A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 王艷
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 吳瑩

1.一種張弛振蕩器，其特征在于，包括：

電流模比較器，用于獲取基準偏置電流和基準參考電壓，基于所述基準偏置電流和所述基準參考電壓，對所述電流模比較器中的內部電容的充放電過程進行電壓比較，實現所述電流模比較器輸出狀態翻轉；

RS鎖存器，用于基于所述內部電容的充放電和所述電流模比較器輸出狀態翻轉，實現反復復位與置位，并輸出第一振蕩信號和第二振蕩信號；

第一沿加速電路，用于加速所述第一振蕩信號的上升沿或下降沿；

第二沿加速電路，用于加速所述第二振蕩信號的上升沿或下降沿。

2.根據權利要求1所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述第一沿加速電路包括：

第一觸發支路，用于在所述RS鎖存器產生所述第一振蕩信號時，導通所述第一沿加速電路；

第一加速電流輸出支路，用于在導通所述第一沿加速電路時，產生并向所述RS鎖存器的第一振蕩信號輸出端輸出第一加速電流；

所述第二沿加速電路包括：

第二觸發支路，用于在所述RS鎖存器產生所述第二振蕩信號時，導通所述第二沿加速電路；

第二加速電流輸出支路，用于在導通所述第二沿加速電路時，產生并向所述RS鎖存器的第二振蕩信號輸出端輸出第二加速電流。

3.根據權利要求1所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述電流模比較器包括：振蕩電容、第一比較器支路、第二比較器支路和第一尾電流支路；

所述第一比較器支路和所述第二比較器支路的并聯電路與所述第一尾電流支路串聯在工作電壓端VDD和地之間；

所述振蕩電容連接在所述第一比較器支路和所述第二比較器支路之間；

所述第一比較器支路與所述第二比較器支路交替連接所述振蕩電容進行充放電；

所述第一尾電流輸出支路用于為所述第一比較器支路與所述第二比較器支路提供偏置電流，并為所述振蕩電容提供充電電流。

4.根據權利要求1所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述RS鎖存器包括交叉耦合的兩個或非門電路。

5.根據權利要求1至4任一所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述張弛振蕩器還包括：

基準源產生電路，用于提供基準偏置電流和基準參考電壓。

6.根據權利要求5所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述基準源產生電路包括PMOS管PM101和PM102，NMOS管NM101和NM102，以及第一電阻R1；

PM101和PM102的源極均連接VDD；PM101和PM102的柵極均連接PM102的漏極；PM101的漏極連接NM101的漏極；PM102的漏極還連接NM102的漏極；NM101和NM102的柵極均連接NM101的漏極；NM101的源極接地；NM102的源極經R1接地。

7.根據權利要求6所述的張弛振蕩器，其特征在于，所述第一尾電流支路包括PMOS管PM103；所述第一比較器支路包括PMOS管PM104，以及NMOS管NM103和NM105；所述第二比較器支路包括PMOS管PM105，以及NMOS管NM104和NM106；所述振蕩電容為第一電容C1；

PM103的源極連接VDD；PM103的柵極連接PM102的柵極；PM103的漏極分別連接PM104和PM105的源極；PM104的柵極連接NM105的柵極；PM104的漏極連接NM103的漏極；NM103的柵極和NM104的柵極均連接NM102的柵極；NM103的源極連接NM105的漏極；NM105的源極接地；PM105的柵極連接NM106的柵極；PM105的漏極連接NM104的漏極；NM104的源極連接NM106的漏極；NM106的源極接地；

C1的一端連接NM105的漏極，C1的相對的另一端連接NM106的漏極。