[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110303494.0
• 申請(qǐng)日: 2021-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN113192963B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高庭庭;薛磊;劉小欣;耿萬波;孫昌志;杜小龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11556
• 分類號(hào): H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

設(shè)于所述襯底上的堆棧，所述堆棧包括交替堆疊的層間絕緣層和柵極層，所述堆棧包括一個(gè)頂部選擇柵極；

多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，垂直貫穿所述堆棧；

至少兩條第一柵線縫隙，垂直貫穿所述堆棧且沿平行于所述襯底的橫向方向延伸；

多條頂部選擇柵切線，位于相鄰兩條所述第一柵線縫隙之間且在所述橫向方向延伸；

其中，所述半導(dǎo)體器件在平行于所述襯底的縱向方向上劃分為多個(gè)塊結(jié)構(gòu)，所述塊結(jié)構(gòu)在所述縱向方向上劃分為多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)，至少一條所述第一柵線縫隙位于同一所述塊結(jié)構(gòu)中的相鄰所述指狀結(jié)構(gòu)之間，所述多條頂部選擇柵切線將相鄰兩條所述第一柵線縫隙之間的所述頂部選擇柵極分隔成至少3個(gè)部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括垂直貫穿所述堆棧，且位于所述指狀結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)第二柵線縫隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多條頂部選擇柵切線將相鄰兩條所述第一柵線縫隙之間的所述溝道結(jié)構(gòu)分成多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，所述第二柵線縫隙位于相鄰兩個(gè)所述存儲(chǔ)區(qū)之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)第二柵線縫隙沿所述頂部選擇柵切線排成一列，每個(gè)所述第二柵線縫隙到相鄰兩條所述第一柵線縫隙的距離相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)第二柵線縫隙沿所述頂部選擇柵切線排成多列，相鄰兩列所述第二柵線縫隙在所述橫向方向交錯(cuò)分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，相鄰兩列所述第二柵線縫隙之間間隔兩個(gè)所述存儲(chǔ)區(qū)，每條所述第一柵線縫隙與相鄰的一列所述第二柵線縫隙之間間隔兩個(gè)所述存儲(chǔ)區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，同一列所述第二柵線縫隙中的多個(gè)第二柵線縫隙沿所述橫向方向間隔排列。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述存儲(chǔ)區(qū)之間具有間隔區(qū)，每條所述頂部選擇柵切線位于一個(gè)所述間隔區(qū)，每個(gè)所述第二柵線縫隙位于一個(gè)所述間隔區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵線縫隙包括垂直貫穿所述堆棧且在所述橫向方向延伸的第一柵線切口，以及依次填充在所述第一柵線切口中的絕緣層和導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二柵線縫隙包括垂直貫穿所述堆棧的第二柵線切口，以及依次填充在所述第二柵線切口中的絕緣層和導(dǎo)體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二柵線縫隙包括垂直貫穿所述堆棧的第二柵線切口，以及填充在所述第二柵線切口中的絕緣層。

12.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

形成位于所述襯底上的堆棧，所述堆棧包括交替堆疊的層間絕緣層和層間犧牲層；

形成多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)垂直貫穿所述堆棧；

形成至少兩條第一柵線切口，所述至少兩條第一柵線切口垂直貫穿所述堆棧且沿平行于所述襯底的橫向方向延伸；

將所述層間犧牲層置換為柵極層，所述堆棧包括一個(gè)頂部選擇柵極；

形成多條頂部選擇柵切線；

其中，所述多條頂部選擇柵切線位于相鄰兩條所述第一柵線切口之間且在所述橫向方向延伸；所述半導(dǎo)體器件在平行于所述襯底的縱向方向上劃分為多個(gè)塊結(jié)構(gòu)，所述塊結(jié)構(gòu)在所述縱向方向上劃分為多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)，至少一條所述第一柵線切口位于同一所述塊結(jié)構(gòu)中的相鄰所述指狀結(jié)構(gòu)之間，所述多條頂部選擇柵切線將相鄰兩條所述第一柵線縫隙之間的所述頂部選擇柵極分隔成至少3個(gè)部分。