[發(fā)明專(zhuān)利]聲表面波應(yīng)變傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110299261.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112857276B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚秋林;楊子鋒;閆夏雯;張磊;熊繼軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中北大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01B17/04 | 分類(lèi)號(hào): | G01B17/04 |
| 代理公司: | 北京致科知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11672 | 代理人: | 董玲;魏紅雅 |
| 地址: | 030051 山*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面波 應(yīng)變 傳感器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種聲表面波應(yīng)變傳感器及其制備方法,其中聲表面波應(yīng)變傳感器包括基底,基底包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面,所述第一表面上的有源區(qū)內(nèi)形成有叉指換能器以及分別位于所述叉指換能器兩側(cè)的第一反射柵和第二反射柵,第二表面對(duì)應(yīng)所述有源區(qū)的位置形成有至少一個(gè)凹槽。本發(fā)明的傳感器結(jié)構(gòu)能提高聲表面波應(yīng)變的檢測(cè)靈敏度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及聲表面波器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種聲表面波應(yīng)變傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
航空航天飛行器的發(fā)動(dòng)機(jī)通常工作在高溫、高旋、高沖擊等惡劣的環(huán)境中,耐高溫、高壓和高沖擊的應(yīng)變傳感器對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部各構(gòu)件的健康狀態(tài)的監(jiān)測(cè)及壽命分析具有十分重要的意義。
聲表面波應(yīng)變傳感器是通過(guò)基底的壓電效應(yīng)進(jìn)行電-聲能量轉(zhuǎn)換和信號(hào)傳遞的。通過(guò)采用具有較高熔點(diǎn)(1470℃)的硅酸鎵鑭晶體作為基底,并利用硅酸鎵鑭晶體從室溫到熔點(diǎn)無(wú)相變的特點(diǎn),使得制成的聲表面波應(yīng)變傳感器更適合高溫下的傳感監(jiān)控而廣泛應(yīng)用于航空航天飛行器的發(fā)動(dòng)機(jī)中。另外硅酸鎵鑭晶體的機(jī)電耦合系數(shù)比石英大2-3倍,聲表面波速更低,適合器件的小型化。
傳統(tǒng)的聲表面波應(yīng)變傳感器通常采用與待測(cè)構(gòu)件通過(guò)粘合劑直接粘接的方法獲得待測(cè)構(gòu)件的應(yīng)變信息,由于粘合劑位于聲表面波應(yīng)變傳感器和待測(cè)構(gòu)件之間,在應(yīng)變傳遞的過(guò)程中,不可避免地會(huì)產(chǎn)生遲滯效應(yīng),從而降低聲表面波應(yīng)變傳感器的靈敏度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種聲表面波應(yīng)變傳感器及其制備方法,用以克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題,減少遲滯效應(yīng),以提高聲表面波應(yīng)變傳感器的靈敏度。
本發(fā)明提供的一種聲表面波應(yīng)變傳感器,其特征在于,包括基底,所述基底包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面,所述第一表面上的有源區(qū)內(nèi)形成有叉指換能器以及分別位于所述叉指換能器兩側(cè)的第一反射柵和第二反射柵,所述第二表面對(duì)應(yīng)所述有源區(qū)的位置形成有至少一個(gè)凹槽。
本發(fā)明還提供的一種聲表面波應(yīng)變傳感器的制備方法,其特征在于,包括:
步驟一、在基底的未拋光一側(cè)對(duì)應(yīng)有源區(qū)的位置形成第一掩膜;
步驟二、通過(guò)所述第一掩膜刻蝕所述基底形成至少一個(gè)凹槽;
步驟三、在所述基底的拋光一側(cè)的有源區(qū)形成叉指換能器及分別位于所述叉指換能器兩側(cè)的第一反射柵和第二反射柵。
本發(fā)明提供的聲表面波應(yīng)變傳感器及其制備方法中,由于在基底第二表面對(duì)應(yīng)有源區(qū)的位置形成了至少一個(gè)凹槽的結(jié)構(gòu),不僅使得傳感器有源區(qū)上的電極之間產(chǎn)生更大的形變,而且使得有源區(qū)上由叉指換能器及反射柵構(gòu)成的聲表面波應(yīng)變傳感器與待測(cè)構(gòu)件之間粘膠面積減少,從而減少了遲滯效應(yīng),進(jìn)而提高聲表面波應(yīng)變傳感器的靈敏度,相比同樣厚度諧振區(qū)的傳感器均提高了傳感器的靈敏度;而且通過(guò)設(shè)置多個(gè)矩形貫通窗口用于分散基片受力,減少器件損壞;以硅酸鎵鑭為基底材料,具有優(yōu)異的耐高溫性能;本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理,體積小,易加工,有利于提高高溫惡劣環(huán)境下對(duì)待測(cè)構(gòu)件應(yīng)變的測(cè)量靈敏度。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種聲表面波應(yīng)變傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例中具有多個(gè)凹槽的聲表面波應(yīng)變傳感器與待測(cè)構(gòu)件一起發(fā)生形變的示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的聲表面波應(yīng)變傳感器的俯視圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種聲表面波應(yīng)變傳感器制備方法的流程圖;
圖5為在基底的未拋光面制備單個(gè)凹槽的流程示意圖;
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