[發明專利]聲表面波應變傳感器及其制備方法

有效

• 申請號: 202110299261.8
• 申請日: 2021-03-21
• 公開（公告）號: CN112857276B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 譚秋林;楊子鋒;閆夏雯;張磊;熊繼軍
• 申請（專利權）人: 中北大學
• 主分類號: G01B17/04
• 分類號: G01B17/04
• 代理公司: 北京致科知識產權代理有限公司 11672
• 代理人: 董玲;魏紅雅

1.一種聲表面波應變傳感器，其特征在于，包括基底，所述基底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面上的有源區內形成有叉指換能器以及分別位于所述叉指換能器兩側的第一反射柵和第二反射柵，所述第二表面對應所述有源區的位置形成有至少一個凹槽以減薄傳感器的諧振區以及同時減少粘膠在應變傳遞中產生的遲滯效應，且至少一個凹槽為多個矩形貫通窗口。

2.根據權利要求1所述的聲表面波應變傳感器，其特征在于，所述叉指換能器、所述第一反射柵和所述第二反射柵的電極長度為2000μm，電極寬度為4μm，電極高度為170nm。

3.一種聲表面波應變傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

步驟一、在基底的未拋光一側對應有源區的位置形成第一掩膜；

步驟二、通過所述第一掩膜刻蝕所述基底形成至少一個凹槽以減薄傳感器的諧振區以及同時減少粘膠在應變傳遞中產生的遲滯效應，所述第一掩膜用于在所述基底上形成多個矩形貫通窗口；

步驟三、在所述基底的拋光一側的有源區形成叉指換能器及分別位于所述叉指換能器兩側的第一反射柵和第二反射柵。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟二具體包括：通過所述第一掩膜，采用體積比為1:1的硝酸和磷酸混合液在水浴加熱80℃的環境下腐蝕所述基底形成所述至少一個凹槽。

5.根據權利要求3～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟三包括：采用光刻工藝在所述基底的拋光一側形成有源區掩膜；采用磁控濺射工藝在所述有源區掩膜上依次鍍敷Ti粘附層、Pt電極層；采用半導體剝離工藝在所述有源區形成所述叉指換能器、所述第一反射柵和所述第二反射柵。