[發(fā)明專利]一種微透鏡陣列膜及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110297530.7 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112835136A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳良杰;趙楠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市科創(chuàng)防偽技術(shù)發(fā)展有限公司;深圳市西卡德科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B3/00 | 分類號(hào)： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒和大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44479 | 代理人： | 林大超 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市寶安*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 透鏡 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種微透鏡陣列膜，其特征在于，包括：基材(100)；
設(shè)置于所述基材(100)一側(cè)上的微透鏡陣列層(200)；
設(shè)置于所述基材(100)上遠(yuǎn)離所述微透鏡陣列層(200)一側(cè)的微圖文陣列層(300)，所述微圖文陣列周期與所述微透鏡陣列周期匹配；以及，
設(shè)置于所述微透鏡陣列層(200)表面上的反射層(400)，所述反射層(400)用于反射所述微圖文陣列層(300)通過(guò)所述微透鏡陣列層(200)上形成的圖像，以實(shí)現(xiàn)在微圖文陣列層(300)一側(cè)查看微圖文。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述反射層(400)為涂覆于所述微透鏡陣列層表面上的介質(zhì)膜，所述介質(zhì)膜至少設(shè)置有一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述介質(zhì)膜設(shè)置有一層，且該層介質(zhì)膜為高折射率介質(zhì)材料，所述高折射率介質(zhì)材料的折射率大于1.9，所述高折射率介質(zhì)材料選自硫化鋅、硒化鋅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述介質(zhì)膜至少設(shè)置有兩層，且分為高折射率介質(zhì)材料和低折射率介質(zhì)材料，所述介質(zhì)膜的涂覆順序?yàn)楦哒凵渎式橘|(zhì)材料和低折射率介質(zhì)材料交替，且靠近所述微透鏡陣列層(200)表面一側(cè)涂覆高折射率介質(zhì)材料；所述低折射率介質(zhì)材料的折射率小于1.45，所述高折射率介質(zhì)材料的折射率大于1.9。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述高折射率介質(zhì)材料選自硫化鋅、硒化鋅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦中的任意一種；所述低折射率介質(zhì)材料選自氟化鎂、氟化鋁、氟化鋇中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述高折射率介質(zhì)材料的厚度在5納米-30納米或100納米-130納米之間；所述低折射率介質(zhì)材料的厚度在5納米-50納米或170納米-230納米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述反射層(400)為金屬鍍層，所述金屬鍍層為鍍銀層或鍍鋁層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的微透鏡陣列膜，其特征在于，所述微透鏡陣列膜還包括封裝層(500)，所述封裝層(500)設(shè)置于所述反射層(400)上，所述封裝層(500)用于實(shí)現(xiàn)微透鏡陣列層(200)上遠(yuǎn)離所述微圖文陣列層一側(cè)的裝配。
9.一種微透鏡陣列膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法基于如權(quán)利要求8所述的微透鏡陣列膜，所述制作方法包括以下步驟：
S1、取一基材(100)，并在基材(100)的一面模壓陣列分布的微透鏡，形成所述微透鏡陣列層(200)；
S2、在所述基材(100)上與所述微透鏡陣列層(200)所在面相對(duì)的面上模壓陣列分布的微圖文，形成微圖文陣列層(300)，所述微圖文陣列層(300)與所述微透鏡陣列層(200)對(duì)應(yīng)設(shè)置；
S3、在所述微透鏡陣列層(200)的表面涂覆介質(zhì)膜或鍍金屬層，以在所述微透鏡陣列層(200)的表面形成反射層(400)；
S4、采用封裝材料對(duì)微透鏡陣列膜上的反射層(400)一側(cè)進(jìn)行封裝，形成封裝層(500)，以便于微透鏡陣列膜的安裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微透鏡陣列膜的制作方法，其特征在于，步驟S1和步驟S2能夠調(diào)換順序，所述微透鏡陣列周期在20微米-300微米之間。
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