[發明專利]發光面板及其制備方法、發光裝置在審
| 申請號: | 202110295622.1 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113066835A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發明(設計)人: | 劉軍;汪軍;劉寧;蘇同上;王海東;周斌;桂學海;劉融 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 面板 及其 制備 方法 裝置 | ||
本公開涉及照明與顯示技術領域,公開了一種發光面板及其制備方法、發光裝置;該發光面板具有發光區和與發光區相鄰的隔離區,該發光面板包括襯底基板和阻隔結構;阻隔結構設置于襯底基板的一側且位于隔離區;包括依次層疊設置的第一隔離圖案、第二隔離圖案、第三隔離圖案和第四隔離圖案,第一隔離圖案比第四隔離圖案更靠近襯底基板;第一隔離圖案在襯底基板上的正投影位于第二隔離圖案在襯底基板上的正投影內,第三隔離圖案在襯底基板上的正投影位于第四隔離圖案在襯底基板上的正投影內,第三隔離圖案在襯底基板上的正投影位于第二隔離圖案在襯底基板上的正投影內。該發光面板的阻隔結構形成雙層“工”字形結構阻隔效果好。
技術領域
本公開涉及照明與顯示技術領域,具體而言,涉及一種發光面板及發光面板的制備方法、包括該發光面板的發光裝置。
背景技術
隨著對異形發光的要求越來越多,發光區的形狀不同于規則的矩形發光區,需要設計隔離部對發光功能層以及陰極進行水汽阻擋隔離以實現異形區域發光;但是,目前隔離部的隔離效果不理想。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于克服上述現有技術的隔離效果不好的不足,提供一種隔離效果較好的發光面板及發光面板的制備方法、包括該發光面板的發光裝置。
根據本公開的一個方面,提供了一種發光面板,具有發光區和與所述發光區相鄰的隔離區,所述發光面板包括:
襯底基板;
阻隔結構,設置于所述襯底基板的一側,且位于所述隔離區;
所述阻隔結構包括:依次層疊設置的第一隔離圖案、第二隔離圖案、第三隔離圖案和第四隔離圖案,所述第一隔離圖案比所述第四隔離圖案更靠近所述襯底基板;所述第一隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內,所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內,所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內。
在本公開的一種示例性實施例中,所述阻隔結構還包括:
第五隔離圖案,設于所述第四隔離圖案的遠離所述襯底基板的一側,所述第五隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內,或所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第五隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內。
在本公開的一種示例性實施例中,所述阻隔結構還包括:
第六隔離圖案,設于所述襯底基板與所述第一隔離圖案之間,所述第一隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第六隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內。
在本公開的一種示例性實施例中,在所述發光區,所述發光面板包括:
多個陣列排布的像素單元,各個所述像素單元包括至少三個子像素,各個所述子像素包括薄膜晶體管和發光單元,所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極和平坦化層,所述發光單元包括第一電極、像素界定層、發光層和第二電極。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一隔離圖案、所述第二隔離圖案和所述第六隔離圖案與所述源極和所述漏極同層同材料設置。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第三隔離圖案與所述平坦化層同層同材料設置。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第四隔離圖案與所述第一電極同層同材料設置。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第五隔離圖案與所述像素界定層同層同材料設置。
根據本公開的另一個方面,提供了一種發光面板的制備方法,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





