[發(fā)明專利]發(fā)光面板及其制備方法、發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110295622.1 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113066835A | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉軍;汪軍;劉寧;蘇同上;王海東;周斌;桂學(xué)海;劉融 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 面板 及其 制備 方法 裝置 | ||
1.一種發(fā)光面板，具有發(fā)光區(qū)和與所述發(fā)光區(qū)相鄰的隔離區(qū)，其特征在于，所述發(fā)光面板包括：
襯底基板；
阻隔結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述襯底基板的一側(cè)，且位于所述隔離區(qū)；
所述阻隔結(jié)構(gòu)包括：依次層疊設(shè)置的第一隔離圖案、第二隔離圖案、第三隔離圖案和第四隔離圖案，所述第一隔離圖案比所述第四隔離圖案更靠近所述襯底基板；所述第一隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述阻隔結(jié)構(gòu)還包括：
第五隔離圖案，設(shè)于所述第四隔離圖案的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述第五隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，或所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第五隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述阻隔結(jié)構(gòu)還包括：
第六隔離圖案，設(shè)于所述襯底基板與所述第一隔離圖案之間，所述第一隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第六隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光面板，其特征在于，在所述發(fā)光區(qū)，所述發(fā)光面板包括：
多個陣列排布的像素單元，各個所述像素單元包括至少三個子像素，各個所述子像素包括薄膜晶體管和發(fā)光單元，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極和平坦化層，所述發(fā)光單元包括第一電極、像素界定層、發(fā)光層和第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第一隔離圖案、所述第二隔離圖案和所述第六隔離圖案與所述源極和所述漏極同層同材料設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第三隔離圖案與所述平坦化層同層同材料設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第四隔離圖案與所述第一電極同層同材料設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第五隔離圖案與所述像素界定層同層同材料設(shè)置。
9.一種發(fā)光面板的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底基板，所述襯底基板具有發(fā)光區(qū)和與所述發(fā)光區(qū)相鄰的隔離區(qū)；
在所述襯底基板的一側(cè)且在所述隔離區(qū)依次形成第一隔離圖案和第二隔離圖案，所述第一隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；
在所述第二隔離圖案的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)依次形成第三隔離圖案和第四隔離圖案，所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第四隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述第三隔離圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述第二隔離圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光面板的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
在所述襯底基板的一側(cè)且在所述發(fā)光區(qū)形成有源層、柵絕緣層以及柵極，所述柵絕緣層位于所述有源層與所述柵極之間；
在所述有源層或所述柵極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成層間介電層，并在所述層間介電層上形成第一過孔，所述第一過孔連通至所述有源層；
在所述層間介電層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成源極和漏極，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔與所述有源層連接；
在所述源極和所述漏極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成平坦化層，且在所述平坦化層上形成第二過孔，所述第二過孔連通至所述源極或所述漏極；
在所述平坦化層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一電極，所述第一電極通過所述第二過孔與所述源極或所述漏極連接；
在所述第一電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成像素界定層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
