[發明專利]功率半導體模塊

在審

• 申請號: 202110295187.2
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113451225A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 宮田俊彥
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

提供能夠確保絕緣性的功率半導體模塊。在由電路圖案(3a)、樹脂絕緣層(3b)和基座板(3c)構成的樹脂絕緣基座板(3)搭載有半導體元件(1)，將樹脂絕緣基座板(3)包圍的殼體(4)和樹脂絕緣層(3b)通過粘接劑(5)而粘接。粘接劑(5)與封裝樹脂(8)為相同材料，填充于被在殼體(4)的樹脂絕緣層(3b)這一側形成的錐形部(4a)和樹脂絕緣層(3b)包圍的區域，將樹脂絕緣層(3b)和殼體(4)粘接，粘接劑(5)中的氣泡(9)配置于處在與樹脂絕緣層(3b)相反側的錐形部(4a)這一側。

技術領域

本發明涉及功率半導體模塊。

背景技術

就以往的半導體裝置而言，在殼體與基座板的上表面之間，通過具有厚的膠瘤形狀的粘接劑而固定了基座板和殼體。(例如，參照專利文獻1)

專利文獻1：日本特開2019-96797號公報(第0013～0016段，圖1～2)

但是，當使用在殼體內填充的封裝樹脂這樣的粘度大的粘接劑的情況下，流動性下降，容易產生氣泡，因此有時在絕緣基板之上絕緣不足。

發明內容

本發明就是為了解決上述這樣的問題而提出的，其目的在于提供確保絕緣性的功率半導體模塊。

本發明涉及的功率半導體模塊具有：樹脂絕緣基座板，其搭載有半導體元件；殼體，其將樹脂絕緣基座板包圍；封裝樹脂，其封裝于被樹脂絕緣基座板和殼體包圍的區域；以及粘接劑，其將樹脂絕緣基座板和殼體粘接，粘接劑被殼體和樹脂絕緣基座板包圍，填充于在殼體的樹脂絕緣基座板這一側形成的錐形部。

發明的效果

根據本發明涉及的功率半導體模塊，能夠在功率半導體模塊內確保絕緣性。

附圖說明

圖1是表示實施方式1涉及的功率半導體模塊的結構的剖視圖。

圖2是表示實施方式1涉及的功率半導體模塊的變形例的剖視圖。

圖3是表示實施方式2涉及的功率半導體模塊的結構的剖視圖。

圖4是表示實施方式3涉及的功率半導體模塊的結構的剖視圖。

具體實施方式

實施方式1.

一邊使用附圖，一邊對實施方式1涉及的功率半導體模塊的結構進行說明。圖1是表示功率半導體模塊的結構的剖視圖。

以逆變器裝置、加工裝置、工業機器人等工業用途為首，功率半導體模塊100得到廣泛應用。如圖1所示，功率半導體模塊100由半導體元件1、樹脂絕緣基座板3、殼體4、電極端子6、金屬導線7、封裝樹脂8構成。殼體4與樹脂絕緣基座板3在殼體4與樹脂絕緣基座板3的樹脂絕緣層3b之間通過粘接劑5而粘接、固定。

在樹脂絕緣基座板3搭載有至少大于或等于1個半導體元件1。能夠根據功率半導體模塊100的規格而搭載所需個數的半導體元件1。

半導體元件1由Si構成，是對電力進行控制的所謂電力半導體元件。例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)。半導體元件1的一邊為3mm～15mm。此外，不限于是Si，也可以是諸如SiC或者GaN這樣的寬帶隙半導體的元件。

另外，半導體元件1經由接合材料2而搭載于樹脂絕緣基座板3的電路圖案3a。接合材料2是包含Sn的導電性金屬，是所謂焊料。此外，由于半導體元件1發熱，因此，接合材料2不限定于焊料，也可以是與焊料相比導熱率大的具有散熱性的燒結材料。