[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110294739.8 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113497107A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 裴哲敏;李周炫;韓智慧;白炅旼;崔新逸 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
根據實施方式的顯示裝置包括:基板;在基板上的第一補償層;在第一補償層上的緩沖層;在緩沖層上的半導體層;連接至半導體層的包括源電極和漏電極的數據線;以及連接至漏電極的發光裝置,其中第一補償層包括SiNx,x為選自1至4的整數,并且第一補償層的N?H鍵和Si?H鍵的比例為10至60。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2020年3月19日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2020-0033963的優先權和權益,其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本公開涉及顯示裝置,并且本公開尤其涉及通過使用補償層來防止顯示裝置彎曲的顯示裝置。
背景技術
顯示裝置顯示圖像,并且最近,發光二極管顯示器作為自發光二極管顯示器已經受到高度關注。
發光二極管顯示器具有自發射特性,因此與液晶顯示裝置不同,發光二極管顯示器不需要另外的光源。通過避免另外的光源,發光二極管顯示器具有減少的厚度和重量。進一步,發光二極管顯示器表現出高質量特性,比如低功耗、高亮度和高反應速度。
一般而言,發光二極管顯示器包括基板、提供在基板上的薄膜晶體管、設置在構成薄膜晶體管的導線中間的絕緣層,以及連接至薄膜晶體管的發光裝置,并且發光裝置可示例性地為有機發光元件。
導線可為粗的,以便減少導線的電阻。然而,當導線變粗時,顯示裝置可因為導線中包括的金屬的特性而彎曲。
上面在該背景技術部分中公開的信息僅用于增強對背景技術的理解,并且因此其可含有不形成對本領域普通技術人員在該國中已知的現有技術的信息。
發明內容
實施方式已經致力于提供用于防止顯示裝置彎曲的顯示裝置。
實施方式提供了顯示裝置,所述顯示裝置包括:基板;在基板上的第一補償層;在第一補償層上的緩沖層;在緩沖層上的半導體層;連接至半導體層的包括源電極和漏電極的數據線;以及連接至漏電極的發光裝置。第一補償層包括SiNx,x為選自1至4的整數,并且第一補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60。
第一補償層的應力可為-400MPa至-1600MPa。
第一補償層的厚度可為至
第一補償層的氫含量可等于或小于15%。
半導體層可包括氧化物半導體,并且數據線可包括銅。
數據線的厚度可等于或大于
顯示裝置可進一步包括在緩沖層和半導體層之間的第二補償層,其中第二補償層的應力可為-400MPa至-1600MPa。
第二補償層可包括SiNx,x為選自1至4的整數,第二補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例可為10至60,并且第二補償層的氫含量可等于或小于15%。
顯示裝置可進一步包括:在半導體層和數據線之間的夾層絕緣層;以及在夾層絕緣層和數據線之間的第三補償層,其中第三補償層包括SiNx,x為選自1至4的整數,并且第三補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60。
第三補償層的應力可為-400MPa至-1600MPa,并且第三補償層的氫含量可等于或小于15%。
顯示裝置可進一步包括:在數據線和發光裝置之間的有機層;以及在有機層和數據線之間的第四補償層,其中第四補償層可包括SiNx,x為選自1至4的整數,并且第四補償層的氫含量可等于或小于15%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





