[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110294739.8 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113497107A | 公開（公告）日： | 2021-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 裴哲敏;李周炫;韓智慧;白炅?xí)G;崔新逸 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 袁媛;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
基板；
在所述基板上的第一補償層；
在所述第一補償層上的緩沖層；
在所述緩沖層上的半導(dǎo)體層；
連接至所述半導(dǎo)體層的包括源電極和漏電極的數(shù)據(jù)線；以及
連接至所述漏電極的發(fā)光裝置，
其中所述第一補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，并且
所述第一補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中
所述第一補償層的應(yīng)力為-400MPa至-1600MPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中
所述第一補償層的厚度為至
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中
所述第一補償層的氫含量等于或小于15％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中
所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體，并且
所述數(shù)據(jù)線包括銅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中
所述數(shù)據(jù)線的厚度等于或大于
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：
在所述緩沖層和所述半導(dǎo)體層之間的第二補償層，
其中所述第二補償層的應(yīng)力為-400MPa至-1600MPa。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中
所述第二補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，
所述第二補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60，并且
所述第二補償層的氫含量等于或小于15％。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進一步包括：
在所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線之間的夾層絕緣層；以及
在所述夾層絕緣層和所述數(shù)據(jù)線之間的第三補償層，
其中所述第三補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，并且
所述第三補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中
所述第三補償層的應(yīng)力為-400MPa至-1600MPa，并且
所述第三補償層的氫含量等于或小于15％。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，進一步包括：
在所述數(shù)據(jù)線和所述發(fā)光裝置之間的有機層；以及
在所述有機層和所述數(shù)據(jù)線之間的第四補償層，
其中所述第四補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，并且
所述第四補償層的氫含量等于或小于15％。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：
在所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線之間的夾層絕緣層；以及
在所述夾層絕緣層和所述數(shù)據(jù)線之間的第三補償層，
其中所述第三補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，
所述第三補償層的應(yīng)力為-400MPa至-1600MPa，并且
所述第三補償層的氫含量等于或小于15％。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，進一步包括：
在所述數(shù)據(jù)線和所述發(fā)光裝置之間的有機層；以及
在所述有機層和所述數(shù)據(jù)線之間的第四補償層，
其中所述第四補償層包括SiNx，x為選自1至4的整數(shù)，并且
所述第四補償層的N-H鍵和Si-H鍵的比例為10至60。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
